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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2009/04/15 不服
2006 -18848 
薄膜トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 竹本 松司 その他   中華映管股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2009/04/13 不服
2006 -8147 
薄膜半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2009/01/26 不服
2006 -1993 
薄膜トランジスタ及びその製造方法、インバータ並びに電子機器 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/11 不服
2006 -5469 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2008/11/19 不服
2006 -12129 
薄膜トランジスタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/10/30 不服
2006 -5033 
薄膜トランジスタ製造方法並びに製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   財団法人国際科学振興財団   原文 保存
該当なし  
2008/10/27 不服
2007 -24662 
集積回路及び製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 鉐三 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
 パリ条約  
2008/10/16 不服
2005 -23889 
レジストパターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置 本件審判の請求は、成り立たない。 上柳 雅誉   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2008/09/16 不服
2006 -5286 
電界効果型トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2008/08/19 不服
2006 -926 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村松 貞男 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2008/08/18 不服
2006 -1920 
トランジスタとその製造方法、電気光学装置、半導体装置並びに電子機器 本件審判の請求は、成り立たない。 青山 正和 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規事項の追加  
2008/07/29 不服
2006 -2038 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2008/07/28 不服
2005 -23666 
半導体集積回路の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三洋電機株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/07/22 不服
2006 -4938 
薄膜トランジスタの製造方法、それを用いた液晶表示装置及び電子機器 本件審判の請求は、成り立たない。 須澤 修   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/07/16 不服
2006 -768 
横型高耐圧MOSFET及びこれを備えた半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機デバイステクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/07/07 不服
2005 -24017 
クランプ回路 本件審判の請求は、成り立たない。 阿部 英樹   日本テキサス・インスツルメンツ株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/06/30 不服
2005 -18481 
成膜装置 本件審判の請求は、成り立たない。 江口 裕之   株式会社島津製作所   原文 保存
該当なし  
2008/06/25 不服
2005 -18889 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/06/23 不服
2006 -28398 
基材又は基板表面の汚染防止方法及びストッカ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社荏原製作所   原文 保存
該当なし  
2008/06/11 不服
2006 -3627 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/06/02 不服
2006 -2162 
薄膜半導体装置の製造方法、及び薄膜半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 上柳 雅誉 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/05/29 不服
2005 -17270 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社リコー   原文 保存
該当なし  
2007/11/28 不服
2006 -5818 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2006/11/10 不服
2004 -1823 
埋め込みプレート電極を備えた集積半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2006/09/25 不服
2005 -16779 
積層型圧電素子の製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   京セラ株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/09/05 不服
2005 -19847 
積層型圧電アクチュエータ 本件審判の請求は、成り立たない。   京セラ株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/10/20 不服
2003 -4533 
半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/04/04 不服
2003 -5429 
CCD撮像素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/11/05 異議
2003 -71678 
光電変換装置及びその駆動方法 訂正を認める。 特許第3363528号の請求項1ないし4に係る特許を維…… 山下 穣平     原文 保存
 新規事項の追加  
2004/11/04 不服
2002 -7727 
CCD固体撮像素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 磯山 弘信   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  

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