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現在の検索キーワード：松田成正

290 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2012/01/23	不服 2009 -12609	自動車用エバポレーター用温度センサの熱応答性改善方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社大泉製作所	原文	保存
該当なし
2012/01/20	不服 2009 -17789	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
該当なし
2012/01/20	不服 2008 -17899	CMOSを有する半導体素子及びその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2012/01/16	不服 2009 -18036	減じられたマスキングステップでNMOSおよびPMOS装置を製造する方法	本件審判の請求は、成り立たない。	仲村義平その他	アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/01/13	不服 2010 -15101	アナログディジタル変換器、およびアナログディジタル変換器の設計方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	岡澤祥平その他	パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2012/01/13	不服 2010 -8445	オン・ダイ型のデカップリング・キャパシタンスを有する半導体ダイ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	社本一夫その他	エルエスアイコーポレーション	原文	保存
パリ条約
2012/01/12	不服 2009 -21631	電界効果トランジスタ、その使用、およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	山本秀策その他	インフィネオンテクノロジーズアーゲー	原文	保存
パリ条約
2012/01/11	不服 2010 -6567	SOI基板およびSOI基板を用いた半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。	池田憲保	国立大学法人東北大学	原文	保存
技術的範囲新規事項の追加
2012/01/06	不服 2009 -12470	磁石粉末の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	特許業務法人サクラ国際特許事務所	株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2012/01/06	不服 2011 -4086	半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2012/01/06	不服 2010 -13780	半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。		株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2012/01/06	不服 2010 -7849	固体撮像素子および電子情報機器	本件審判の請求は、成り立たない。	安村高明その他	シャープ株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2012/01/06	不服 2009 -17315	固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	有吉修一朗	ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2012/01/04	不服 2009 -17484	マグネットロール及びその製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。		戸田工業株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/28	不服 2010 -11065	半導体集積回路および半導体装置の製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。	大垣孝	ラピスセミコンダクタ株式会社ラピスセミコンダクタ宮城株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/28	不服 2010 -13834	固体撮像装置、その製造方法およびカメラ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/27	不服 2010 -5276	集積回路装置のコンタクト及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/12/27	不服 2010 -1012	ソレノイド	本件審判の請求は、成り立たない。		新電元メカトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/26	不服 2010 -13568	強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	宮坂一彦その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/22	不服 2009 -23158	高誘電体ゲート絶縁膜及び金属ゲート電極を有する電界効果トランジスタの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	岡部讓その他	キヤノンアネルバ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/22	不服 2009 -17685	チップ型NTC素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	三上敬史その他	TDK株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/22	不服 2010 -23239	オートリフレッシュ動作時に安定した高電圧を提供する半導体メモリ素子及びその方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	神谷牧	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約
2011/12/21	不服 2011 -9267	ショットキーバリアダイオード及びその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	特許業務法人小笠原特許事務所	パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/20	不服 2009 -9566	バリスター特性を有する非線形抵抗及びこの抵抗の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	矢野敏雄その他	エービービーリサーチリミテッド	原文	保存
パリ条約
2011/12/13	不服 2009 -25561	CMOSデバイス	本件審判の請求は、成り立たない。		ミツミ電機株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/12	不服 2009 -23047	電気二重層キャパシタ及びその製造方法とこれを用いた電子機器	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	内藤浩樹その他	パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/08	不服 2009 -17095	窪み付きゲート構造を有するメモリデバイス	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	加藤信之その他	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
パリ条約
2011/12/08	不服 2010 -3003	CMOS型イメージセンサ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	田村敬二郎	マグナチップセミコンダクター有限会社	原文	保存
該当なし
2011/12/02	不服 2008 -23788	電解コンデンサ陰極用アルミニウム箔	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三菱アルミニウム株式会社	原文	保存
該当なし
2011/11/30	不服 2010 -1592	SOIウェーハの作製方法	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社SUMCO	原文	保存
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