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現在の検索キーワード：松田成正

290 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2011/08/19	不服 2008 -17061	厚膜抵抗体およびその調整装置、ならびに、抵抗値調整方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	原謙三	シャープ株式会社独立行政法人産業技術総合研究所	原文	保存
該当なし
2011/08/18	不服 2009 -7502	フェライト材料及びインダクタンス素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日立金属株式会社	原文	保存
該当なし
2011/08/15	不服 2009 -20102	薄膜トランジスタの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		日本電気株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2011/08/11	不服 2009 -10070	メモリセルアレイの形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ハイニックスセミコンダクターアメリカインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/08/10	不服 2008 -14092	薄膜抵抗体の製造方法及び薄膜抵抗体の抵抗値温度特性検出方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	永井聡その他	株式会社デンソー	原文	保存
該当なし
2011/08/10	不服 2009 -6604	表面実装型電子部品	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		TDK株式会社	原文	保存
該当なし
2011/08/08	不服 2009 -6274	フェライト磁心の加工方法及び加工用治具	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日立金属株式会社	原文	保存
該当なし
2011/08/08	不服 2009 -15005	固体撮像素子及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ソニー株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2011/08/08	不服 2008 -26680	半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。	坊野康博その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2011/08/03	不服 2009 -25435	貼り合わせウェーハの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2011/08/02	不服 2009 -1156	コイル部品の継線装置及び継線方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	若林邦彦その他	TDK株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/28	不服 2009 -18632	二重キャッピング膜を有する半導体素子の配線及びその形成方法	本件審判の請求は、成り立たない。		三星電子株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項) パリ条約
2011/07/12	不服 2009 -8788	ゼーベック係数測定装置	本件審判の請求は、成り立たない。		独立行政法人産業技術総合研究所	原文	保存
該当なし
2011/07/12	不服 2008 -32720	積層電子部品の製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。	藤井兼太郎その他	パナソニック株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2011/07/07	不服 2008 -24744	磁気ランダムアクセスメモリ	本件審判の請求は、成り立たない。	村松貞男その他	株式会社東芝	原文	保存
新規事項の追加
2011/07/06	不服 2009 -22785	貼り合わせSOI基板の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社SUMCO	原文	保存
進歩性(29条2項)
2011/07/06	不服 2009 -21040	動的閾値動作トランジスタ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	山崎宏その他	シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/05	不服 2009 -2279	層配置物および層配置物の製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。	山本秀策その他	インフィネオンテクノロジーズアーゲー	原文	保存
パリ条約
2011/07/04	不服 2009 -6703	メモリ回路構造およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		インフィネオンテクノロジーズアーゲー	原文	保存
パリ条約進歩性(29条2項)
2011/06/29	不服 2008 -30723	メモリ膜構造、メモリ素子、半導体装置および電子機器	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	山崎宏その他	シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/29	不服 2009 -17012	配線接続部設計方法及び半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/29	不服 2008 -7866	電力増幅用電界効果型半導体装置およびその製造方法、ならびにパワーモジュール	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		ルネサスエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/27	不服 2009 -8214	強誘電体メモリ素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	布施行夫その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/23	不服 2009 -4502	半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ	本件審判の請求は、成り立たない。	上田忠その他	クリーインコーポレイテッド	原文	保存
パリ条約新規事項の追加
2011/06/23	不服 2008 -26149	紫外光吸収フィルター	本件審判の請求は,成り立たない。	杉山毅至	シャープ株式会社	原文	保存
国内優先権新規事項の追加
2011/06/23	不服 2008 -28183	トレンチ側壁にひずみ層を有するトレンチ型MOSゲート素子	本件審判の請求は,成り立たない。	英貢その他	インターナショナルレクティフィアーコーポレイション	原文	保存
新規事項の追加
2011/06/22	不服 2009 -11559	シリコンウェーハの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	高橋詔男その他	株式会社SUMCO	原文	保存
進歩性(29条2項)
2011/06/22	不服 2009 -14776	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2011/06/21	不服 2008 -17243	多層体及びその製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。	恩田博宣その他	アメリカンスーパーコンダクターコーポレイション	原文	保存
パリ条約
2011/06/21	不服 2008 -20251	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士電機株式会社	原文	保存
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