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現在の検索キーワード：松本邦夫

257 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2001/01/16	審判 1999 -1275	薬液昇温装置	本件審判の請求は、成り立たない。		山形日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
2001/01/16	異議 2000 -70739	アクティブマトリックス形液晶表示素子の製造方法およびその装置	特許第2937942号の請求1および7に記載された発明の特許を取り消す。	渡辺隆男		原文	保存
分割出願(出願分割)
2001/01/05	審判 1999 -5529	基板処理装置	本件審判の請求は、成り立たない。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2000/12/25	審判 1998 -535	配置処理方法及び配置処理装置	本件審判の請求は、成り立たない。		日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
2000/12/20	審判 1999 -19042	能動式画素検出器	本件審判の請求は、成り立たない。	大塚文昭その他	世界先進積體電路股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2000/12/11	審判 1999 -6136	微細パターン形成方法	本件審判の請求は、成り立たない。	福田修一その他	日本電気株式会社	原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2000/12/05	補正 2000 -50076	真空ピンセット	原決定を取り消す。		京セラ株式会社	原文	保存
該当なし
2000/11/13	審判 1998 -14677	分子線エピタキシー用分子線源ルツボ	本件審判の請求は、成り立たない。	荒井鐘司	信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2000/10/17	異議 1998 -75824	ディープ紫外線リソグラフィー	訂正を認める。特許第2760740号の特許請求の範囲第9項に係る特許……	吉澤弘司その他		原文	保存
新規事項の追加 29条の2(拡大された先願の地位)
2000/10/06	異議 2000 -70563	磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム	訂正を認める。特許第2933056号の請求項1ないし7に係る特許を維……	京本直樹その他		原文	保存
該当なし
2000/10/03	審判 1999 -7156	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社デンソー	原文	保存
該当なし
2000/09/22	審判 1998 -20123	静電チャック	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士電機株式会社	原文	保存
該当なし
2000/09/21	審判 1998 -9274	集積回路上の温度検出器	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エステーミクロエレクトロニクスソシエテアノニム	原文	保存
該当なし
2000/09/20	審判 1999 -6319	固体撮像装置	本件審判の請求は、成り立たない。	京本直樹その他	日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
2000/09/18	審判 1997 -19201	欠陥検査方法及びその装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	作田康夫	株式会社日立画像情報システム株式会社日立製作所	原文	保存
該当なし
2000/09/11	異議 2000 -71156	処理装置	特許第2951903号の特許を維持する。			原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2000/09/05	審判 1999 -4006	露光装置及び露光方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社ニコン	原文	保存
該当なし
2000/09/01	異議 1997 -75336	合せずれ測定方法	訂正を認める。特許第2610372号の特許を維持する。			原文	保存
該当なし
2000/08/30	審判 1999 -991	枚葉式ホットウォール処理装置のクリーニング方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2000/08/29	審判 1998 -14240	合成半導体及び制御されたそのドーピング	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		オハイオエアロスペースインスティチュート	原文	保存
該当なし
2000/08/23	審判 1998 -13996	絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2000/08/23	審判 1998 -13995	絶縁ゲイト型電界効果半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2000/08/14	審判 1999 -4326	ホウ素拡散を行うMOSデバイス製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション	原文	保存
該当なし
2000/08/10	審判 1998 -12687	真空処理装置及びそれによるワーク処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	西山雅也その他	バルツェルスアクチェンゲゼルシャフト	原文	保存
該当なし
2000/07/24	審判 1998 -6484	処理装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2000/07/14	審判 1998 -18628	高純度三水素化砒素およびこれを用いた化合物半導体の気相成長方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	諸石光▲煕▼	住友化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2000/07/13	審判 1999 -6245	試料の後処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社日立製作所	原文	保存
該当なし
2000/07/11	審判 1998 -2788	縦型DMOSデバイスにおける閾値調整	本件審判の請求は、成り立たない。		シリコニックスインコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2000/07/05	審判 1997 -8973	基板表面の微細パターン形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ユルゲングスパン	原文	保存
該当なし
2000/06/29	審判 1999 -7237	低水素量非晶質シリコン半導体薄膜の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三洋電機株式会社	原文	保存
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