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現在の検索キーワード: 須原 宏光

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/12/18 不服
2014 -5285 
直列接続のインダクターを有する集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 秀策   アルテラ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2014/11/18 不服
2013 -21822 
連続する電荷蓄積誘電体スタックを有する不揮発性メモリアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2014/10/29 不服
2014 -2142 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2014/09/26 不服
2013 -22136 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/05/09 不服
2013 -19631 
浮遊ゲートNANDフラッシュメモリ用のゲート注入を用いるセル動作方法 本件審判の請求は、成り立たない。 熊野 剛 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2014/04/28 不服
2013 -14640 
デバイス、方法(MIMキャパシタおよびその製造方法) 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 太佐 種一 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2014/04/15 不服
2013 -990 
局所優先方向アーキテクチャ、ツール、及び機器 本件審判の請求は、成り立たない。 辻居 幸一 その他   ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/10/07 不服
2013 -2905 
電気アンチヒューズ、製造方法およびプログラミング方法 本件審判の請求は、成り立たない。 上野 剛史   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/10/07 不服
2012 -24913 
フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/24 不服
2012 -21335 
多端子カルコゲニドスイッチングデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 三好 秀和 その他   エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/08/27 不服
2012 -22935 
ランダム・アクセス電気的プログラム可能なEヒューズROM 本件審判の請求は、成り立たない。 村上 博司 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/07/16 不服
2012 -12087 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/12 不服
2012 -21120 
窒化酸化物層を有する半導体デバイスおよびこのための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/07/10 不服
2012 -20345 
半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の設計装置 本件審判の請求は、成り立たない。 山口 昭則 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/25 不服
2012 -13823 
低電圧用の半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   658868 エヌ ビー インク   原文 保存
該当なし  
2013/05/14 不服
2012 -13858 
複数のレーザビームスポットを使用する半導体構造加工 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊藤 正和 その他   エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/26 不服
2012 -3353 
自己訂正可能な半導体及びその動作方法 本件審判の請求は、成り立たない。   マーベル ワールド トレード リミテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/26 不服
2012 -11650 
半導体素子のキャパシタストレージノードの形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   658868 エヌ ビー インク   原文 保存
該当なし  
2013/04/10 不服
2012 -7170 
半導体基体中に形成されたスパイラル形状インダクタ及びそのインダクタを形成するための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 讓 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/05 不服
2012 -68 
集積回路デバイスと集積回路デバイスを設計するための方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山川 政樹   シノプシス・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/01 不服
2012 -12183 
NAND型フラッシュメモリ素子、その製造方法およびその駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/21 不服
2012 -12260 
半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -12088 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -10034 
静電気保護素子とパワークランプで構成された入出力静電気放電保護セルを具備する集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/25 不服
2012 -5488 
NAND型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/05 不服
2012 -713 
2つのタイプの減結合コンデンサを備えた集積回路および方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/01/31 不服
2011 -24612 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/01/30 不服
2011 -24123 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/06 不服
2011 -26370 
半導体集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中村 誠 その他   東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/10/03 不服
2011 -5091 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  

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