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須原 宏光
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2011/02/04
不服
2009 -7763
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山口 昭則
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2010/12/20
不服
2008 -20635
マルチロウアドレステスト可能な半導体メモリ装置及びそのテスト方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
志賀 正武 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/12/20
不服
2008 -26353
テータの検査及び処理のためのメモリエンジン
本件審判の請求は、成り立たない。
小池 晃
ブライトスケール インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2010/12/15
不服
2009 -24248
リフレッシュトリガー付き半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2010/12/13
不服
2009 -11393
ワードラインデコーダ
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
新規事項の追加
2010/11/30
不服
2009 -19864
内容アドレスメモリシステム
本件審判の請求は、成り立たない。
阿部 和夫
インディペンデンス・マンザナール・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
保存
新規事項の追加
2010/11/04
不服
2008 -27385
半導体メモリ装置のビットラインプリチャージ回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/10/04
不服
2008 -3585
ターナリ内容検索メモリ装置
本件審判の請求は,成り立たない。
渡邊 隆 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/10/04
不服
2008 -6003
半導体メモリ装置およびそのセル電流測定方法
本件審判の請求は,成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/09/27
不服
2010 -345
不揮発性メモリ装置
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/08/30
不服
2006 -15336
プロセッサメモリでデータを入出力する方法及びこの方法を実施する装置
本件審判の請求は、成り立たない。
江崎 光史
ジステモニック・アクチエンゲゼルシヤフト
原文
保存
該当なし
2010/08/23
不服
2007 -30683
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山田 卓二 その他
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2010/08/23
不服
2007 -34636
パワーアップ信号発生回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
該当なし
2010/08/10
不服
2008 -930
内容照合(連想)記憶装置に関する改良
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
酒井 一
アスペックス・セミコンダクター・リミテッド
原文
保存
該当なし
2010/08/02
不服
2007 -31015
不揮発性半導体記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社東芝
原文
保存
新規事項の追加
2010/08/02
不服
2008 -24490
半導体記憶装置及びそのテスト方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
鷲頭 光宏
エルピーダメモリ株式会社
原文
保存
該当なし
2010/07/28
不服
2008 -12049
シフトレジスタとその駆動方法及び液晶表示パネルの駆動装置
本件審判の請求は、成り立たない。
臼井 伸一 その他
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
原文
保存
新規事項の追加 パリ条約
2010/07/23
不服
2007 -31790
データ圧縮を備えたメモリ・テスタ
本件審判の請求は、成り立たない。
大塚 就彦 その他
テラダイン・インコーポレーテッド
原文
保存
該当なし
2010/07/22
不服
2008 -14214
半導体記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
金本 哲男 その他
OKIセミコンダクタ株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2010/07/12
不服
2008 -7934
半導体記憶装置、およびその制御方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2010/07/06
不服
2008 -6002
外部ピンを通じてワードライン電圧を出力する半導体メモリ装置及びその電圧測定方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/06/30
不服
2007 -27354
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
恩田 誠
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2010/06/25
不服
2008 -6534
メモリ素子のための高速テストシステム
本件審判の請求は、成り立たない。
大菅 義之
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
該当なし
2010/06/10
不服
2007 -13135
ブロック書き込み時電力節減
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
宍戸 嘉一 その他
ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2010/04/28
不服
2007 -31272
分離素子を不要としたMRAM
本件審判の請求は、成り立たない。
本田 淳
エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド
原文
保存
パリ条約
2010/04/26
不服
2007 -15618
不揮発性メモリ回路
本件審判の請求は、成り立たない。
スパンション エルエルシー
原文
保存
新規事項の追加
2010/04/21
不服
2007 -8052
内容アドレス先入れ先出しデ-タ記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
インテル・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2010/04/21
不服
2007 -32033
強誘電体メモリおよびその動作方法
本件審判の請求は、成り立たない。
森下 夏樹 その他
パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー
原文
保存
該当なし
2010/04/20
不服
2008 -14957
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2010/04/09
不服
2008 -27092
半導体集積回路装置
本件審判の請求は、成り立たない。
田村 和彦
株式会社東芝
原文
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該当なし
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