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正山 旭
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2015/07/03
不服
2014 -5684
増大された高磁場特性を有する超電導体、それを製造する方法、及びそれを含むMRI装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大関 雅人 その他
キム ヨン ジン
原文
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該当なし
2015/03/18
不服
2014 -4363
組み込まれたPN接合を有するショットキダイオード
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山田 卓二 その他
クレー・スウェーデン・アクチボラゲット
原文
保存
該当なし
2014/12/26
不服
2013 -25685
多孔状基板上にパターン電極をコンタクトさせる方法とその素子
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
恩田 誠 その他
ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド
原文
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該当なし
2014/10/16
不服
2013 -18350
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
福田 修一 その他
日本電気株式会社
原文
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該当なし
2014/05/01
不服
2013 -23391
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
速水 進治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2014/03/31
不服
2013 -11093
クライオスタットの内槽の製法
本件審判の請求は、成り立たない。
鈴木 三義 その他
大陽日酸株式会社
原文
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該当なし
2013/10/21
不服
2012 -22194
相変化記憶セル及びその製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2013/08/26
不服
2012 -2759
高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2013/08/02
不服
2012 -11484
電荷トラッピング不揮発性メモリおよびそのゲートバイゲート消去のための方法
本件審判の請求は、成り立たない。
田中 秀佳 その他
旺宏電子股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2013/06/24
不服
2012 -10650
拡散バリアー層及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
原文
保存
該当なし
2013/06/10
不服
2012 -11797
半導体装置
本件審判の請求は,成り立たない。
大貫 進介 その他
インタレクチュアル ヴェンチャーズ ファースト エルエルシー
原文
保存
該当なし
2013/05/17
不服
2012 -6799
垂直ナノチューブを利用した不揮発性メモリ素子
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2013/05/13
不服
2012 -15510
トンネル障壁の上に電界分布層を有する電荷捕獲装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
杉村 憲司
旺宏電子股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2013/04/26
不服
2012 -9872
超電導接合素子および超電導接合回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
伊東 忠重 その他
株式会社日立製作所 富士通株式会社 中国電力株式会社 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター
原文
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該当なし
2013/04/08
不服
2012 -8191
磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ
本件審判の請求は、成り立たない。
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/04/01
不服
2012 -9445
半導体装置のキャパシタおよびそれを備えるメモリ装置
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2013/03/28
不服
2012 -8833
磁気メモリセルおよびその製造方法ならびに磁気メモリセルアレイ
本件審判の請求は、成り立たない。
三反崎 泰司
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2013/03/26
不服
2010 -23697
極低温冷却システム
本件審判の請求は、成り立たない。
黒川 俊久 その他
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
原文
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該当なし
2013/03/04
不服
2011 -23361
半導体集積回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
独立行政法人産業技術総合研究所
原文
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該当なし
2013/02/19
不服
2011 -23255
フラッシュメモリ装置のワード線を保護するための方法および装置
本件審判の請求は、成り立たない。
大貫 敏史 その他
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2013/02/19
不服
2012 -3088
仮想接地メモリアレイのビット線間スペーサ
本件審判の請求は、成り立たない。
荒川 伸夫 その他
スパンション エルエルシー
原文
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該当なし
2013/01/22
不服
2011 -13001
超音波センサー
本件審判の請求は、成り立たない。
独立行政法人科学技術振興機構
原文
保存
該当なし
2013/01/22
不服
2011 -18291
フラッシュメモリのためのパッシベーション構造およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
川端 純市 その他
旺宏電子股▲ふん▼有限公司
原文
保存
該当なし
2012/12/12
不服
2011 -9416
超伝導スイッチング素子
本件審判の請求は、成り立たない。
津久井 克幸
原文
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該当なし
2012/12/03
不服
2011 -8910
磁気メモリセルおよび磁気メモリアレイならびにそれらの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2012/12/03
不服
2011 -24473
ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアレイ、およびDRAMデバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
原文
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該当なし
2012/11/27
不服
2011 -2338
メモリーデバイスを操作する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
旺宏電子股▲ふん▼有限公司
原文
保存
該当なし
2012/11/20
不服
2011 -22308
炭素ナノチューブを用いるメモリ素子及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2012/11/14
不服
2011 -1383
RAM及びROM機能を有するトランジスタを含むメモリ素子及びその動作方法並びに製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2012/10/31
不服
2011 -15475
光-磁束変換型入力インターフェース回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
独立行政法人科学技術振興機構
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該当なし
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