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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/02/22 不服
2008 -16728  		メモリデバイスの電圧しきい値設定システムおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/02/17 不服
2007 -23453  		集積回路のプロファイルベースのシミュレーション情報の作成方法 本件審判の請求は,成り立たない。 水谷 好男 その他   ティンバー テクノロジーズ,インコーポレイティド   原文 保存
該当なし 　
2011/02/08 不服
2007 -33868  		チップ型可変式電子部品及びチップ型可変抵抗器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡辺 隆一 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/02/07 不服
2009 -23793  		アレイセルのしきい値電圧を検出する方法およびメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2011/02/07 不服
2008 -16402  		アニールウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 詔二   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/02/03 不服
2008 -2179  		シリコン・ゲルマニウム・バイポーラ・トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 間山 進也 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2011/02/02 不服
2008 -7994  		超伝導集積回路及びその作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 武通 その他   株式会社ピーアイ技術研究所 独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2011/02/01 不服
2008 -9833  		電解コンデンサ 本件審判の請求は,成り立たない。   日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/02/01 不服
2008 -9834  		電解コンデンサ 本件審判の請求は、成り立たない。   日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/02/01 不服
2008 -4565  		電解コンデンサ 本件審判の請求は、成り立たない。 田中 浩   ニチコン株式会社 株式会社アプトデイト   原文 保存
該当なし 　
2011/01/31 不服
2008 -220  		積層型電子部品の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森田 俊雄 その他   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし 　
2011/01/28 不服
2007 -35241  		キャパシタ用セパレーター 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱製紙株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/01/25 不服
2008 -1504  		半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2011/01/20 不服
2008 -24195  		内部電源電圧発生装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/01/18 不服
2008 -9320  		コンプリメンタリ・ビットPCRAMセンス増幅器及びその動作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし 　
2011/01/11 不服
2009 -1777  		半導体メモリ装置のネガティブ電圧発生器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/01/07 不服
2008 -8003  		半導体装置および電力変換装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/01/04 不服
2008 -16795  		貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 国内優先権  進歩性(29条2項) 　
2010/12/28 不服
2008 -7565  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機システムズ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/27 不服
2008 -2834  		半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
 新規性  新規事項の追加 　
2010/12/20 不服
2008 -20635  		マルチロウアドレステスト可能な半導体メモリ装置及びそのテスト方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/20 不服
2008 -28684  		不揮発性多値半導体メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2010/12/20 不服
2008 -3955  		積層セラミック電子部品の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小森 久夫   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし 　
2010/12/15 不服
2009 -24248  		リフレッシュトリガー付き半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2010/12/13 不服
2008 -5064  		チップコンデンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   北陸電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/09 不服
2008 -967  		効率的トランジスタ構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 龍華国際特許業務法人   マーベル ワールド トレード リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2010/12/09 不服
2007 -29814  		オーミック電極構造体の製造方法、接合型FET又は接合型SITのオーミック電極構造体の製造方法、及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 三好 秀和   独立行政法人産業技術総合研究所 日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/09 不服
2007 -30068  		TFTのためのSi層の金属誘起による自己整合結晶化を用いる半導体デバイス、トップ・ゲート形TFTおよび該トップ・ゲート形TFTの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エーユー オプトロニクス コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2010/12/07 不服
2008 -27119  		ダイナミック型半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/06 不服
2007 -29752  		フェライト磁性材料 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   TDK株式会社   原文 保存
該当なし 　

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