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現在の検索キーワード： 早川 朋一

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/11/28 不服
2011 -23095  		固体撮像装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/28 不服
2011 -20413  		記憶素子及びメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 角田 芳末   ソニー株式会社 グランディス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/11/27 不服
2011 -26501  		不揮発性メモリ装置のホットエレクトロンプログラムディスターブ防止方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/20 不服
2011 -21891  		トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置 本件審判の請求は,成り立たない。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/19 不服
2011 -25428  		不揮発性メモリ半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/16 不服
2011 -22184  		過剰消去されたセルを復旧させるために、正のゲートストレスを使用したメモリデバイスおよびそのための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/12 不服
2011 -25784  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/01 不服
2010 -10739  		磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 三反崎 泰司   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/10/30 不服
2011 -11429  		統合又は独立計測を用いる改善されたウェーハ均一性のための処理制御方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦 その他   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/10/29 不服
2011 -18115  		導電膜修正方法、及びTFT基板 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/26 不服
2011 -4410  		漏れ電流を減少させ、単位面積あたりのキャパシタンスを改善した、電界効果トランジスタおよび受動コンデンサを有する半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/10/25 不服
2011 -8986  		メモリモジュール及びメモリシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/24 不服
2009 -20590  		粉末組成物、軟磁性構成部材及び軟磁性複合体構成部材の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅村 皓 その他   ホガナス アクチボラゲット   原文 保存
該当なし 　
2012/10/22 不服
2011 -14816  		ポリ-3,3”-ジアルキル-2,2’:5’,2”-テルチオフェンの電荷運搬材料としての使用 本件審判の請求は、成り立たない。 葛和 清司   シーメンス アーゲー メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし 　
2012/10/22 不服
2011 -6249  		フィールド酸化物上で終端する見かけの金属接点線を使用してリバースエンジニアリングに対して保護された集積回路及びこれを製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エイチアールエル ラボラトリーズ,エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/10/18 不服
2011 -15824  		半導体デバイス障壁層 本件審判の請求は、成り立たない。 吉澤 弘司 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/10/15 不服
2011 -21745  		欠陥入出力線の修復用の再設定可能なメモリブロック冗長 本件審判の請求は、成り立たない。   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/10/11 不服
2010 -18422  		バッファコンデンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マントック,ポール,レンワース   原文 保存
該当なし 　
2012/10/11 不服
2011 -12883  		トレンチタイプのIGBTのための深度Nタイプの拡散 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2012/10/11 不服
2011 -14391  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高橋 敬四郎   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/10 不服
2011 -22374  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/03 不服
2011 -5091  		半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/02 不服
2011 -16506  		ゲート制御ダイオード・メモリ・セル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/10/01 不服
2011 -11267  		NAND型フラッシュメモリデバイスを形成する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 堀井 豊 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/09/28 不服
2011 -2074  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -223  		半導体基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -1532  		ドーピング源でもあるエッチャントガスを用いてトレンチをエッチングすることで形成されるドープカラムを含む電圧維持領域を有する高電圧電力MOSFET 本件審判の請求は、成り立たない。 福原 淑弘 その他   ジェネラル・セミコンダクター・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2011 -593  		高電流薄型インダクタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ヴィシェイ デイル エレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2010 -8194  		キャパシタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社KRI   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2010 -18564  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　

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