| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2011/03/02
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不服
2008
-22227
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フェライト磁石粉末、焼結磁石、ボンド磁石、磁気記録媒体
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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三上 敬史
その他
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TDK株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/03/02
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不服
2008
-4872
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基板処理システムおよび基板処理装置管理方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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有田 貴弘
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大日本スクリーン製造株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/03/01
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不服
2008
-6111
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画像表示装置およびその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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特許業務法人はるか国際特許事務所
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株式会社 日立ディスプレイズ
パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/03/01
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不服
2008
-5851
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希土類?鉄系磁歪材料を使用した高分子複合材料の製造方法及びこれによって製造された高分子複合材料
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本件審判の請求は,成り立たない。
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韓国科学技術院
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/25
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不服
2010
-23800
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電子デバイス用基板及び電子デバイス
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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有限会社ナプラ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/25
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不服
2008
-5093
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高周波制御されるSCRタイプのスイッチ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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エステーミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/24
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不服
2008
-23137
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電気的相互接続構造およびその形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野口 恭弘
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/23
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不服
2008
-14940
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半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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皆川 祐一
その他
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ローム株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/02/21
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不服
2008
-19918
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集積回路にトレンチアイソレーションを形成する方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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志賀 正武
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/21
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不服
2007
-28767
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2つの固体材料の分子接着界面における結晶欠陥および/または応力場の顕在化プロセス
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本件審判の請求は、成り立たない。
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村山 靖彦
その他
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コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/21
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不服
2008
-20636
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狭いチャンネル効果を最小化するトランジスター及び浅いトレンチ隔離に埋設される電界透過遮断膜を有するトランジスター形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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村山 靖彦
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/18
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不服
2008
-14620
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薄膜トランジスタの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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特許業務法人はるか国際特許事務所
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パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
株式会社 日立ディスプレイズ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-16642
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半導体装置製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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熊倉 禎男
その他
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アナム セミコンダクター リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2009
-5944
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SOIウエーハの製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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石原 進介
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-17794
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集積回路メモリデバイスのフリンジ領域の検査方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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阿部 和夫
その他
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-3221
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薄いガリウム砒素アンチモン層をベースに用いた利得向上型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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有原 幸一
その他
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アジレント・テクノロジーズ・インク
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-17796
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集積回路メモリのフリンジ領域の検査方法及び集積回路メモリの検査システム
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本件審判の請求は、成り立たない。
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濱中 淳宏
その他
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2009
-303
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電圧駆動型バイポーラ半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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田中 光雄
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関西電力株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-14453
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書込み選択性増大のためのMRAMアーキテクチャ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/02/17
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不服
2008
-10171
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アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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国内優先権
進歩性(29条2項)
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2011/02/17
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不服
2007
-23453
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集積回路のプロファイルベースのシミュレーション情報の作成方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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鶴田 準一
その他
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ティンバー テクノロジーズ,インコーポレイティド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/14
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不服
2008
-18350
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過電圧保護を備えた集積回路及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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高橋 佳大
その他
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/14
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不服
2008
-18301
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強誘電体又はエレクトレットメモリ回路
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本件審判の請求は、成り立たない。
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浅村 肇
その他
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シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/10
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不服
2008
-18278
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半導体装置の製造方法および半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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皆川 祐一
その他
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ローム株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/08
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不服
2008
-12624
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磁性材料構造体、磁性材料構造体を用いる装置、および磁性材料の形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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谷 征史
その他
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ランベス、デイビッド エヌ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/08
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不服
2008
-28801
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アニールウエーハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/02
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不服
2008
-18277
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半導体装置およびその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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河津 康一
その他
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ローム株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/02/02
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不服
2008
-15776
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原子状酸素促進酸化(aｔｏmicｏｘｙgenenhancedｏｘidaｔiｏn)を使ってゲート活性化を改良する方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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坂口 博
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/02/02
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不服
2008
-921
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パターン形成方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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NEC液晶テクノロジー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/01
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不服
2008
-11636
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イメージセンサ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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