| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2010/12/21
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不服
2007
-34703
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半導体装置及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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志賀 正武
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/21
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不服
2008
-8459
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プロファイラー・ビジネス・モデル
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本件審判の請求は、成り立たない。
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青木 篤
その他
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ティンバー テクノロジーズ,インコーポレイティド
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/20
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不服
2008
-17403
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フラッシュメモリ装置及びそれの消去方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/20
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不服
2008
-27381
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半導体メモリ及びその動作方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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渡邊 隆
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/20
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不服
2008
-26353
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テータの検査及び処理のためのメモリエンジン
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本件審判の請求は、成り立たない。
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伊賀 誠司
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ブライトスケール インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/15
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不服
2007
-10454
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多結晶半導体膜の形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/15
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不服
2007
-31668
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エネルギー貯蔵装置において有用なマクロレティキュラー炭質材料
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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ローム アンド ハース カンパニー
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/14
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不服
2007
-31739
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薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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河村 洌
その他
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三菱電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/13
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不服
2007
-33326
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半導体素子及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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熊倉 禎男
その他
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ドンブアナム セミコンダクター インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/07
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不服
2007
-31027
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リードフレーム,及び,半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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亀谷 美明
その他
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/06
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不服
2007
-21417
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半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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田名網 孝昭
その他
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/03
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不服
2008
-14590
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/30
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不服
2007
-24614
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量子ドットを備えた素子
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士通株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/26
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不服
2008
-10779
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半導体素子の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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長谷 照一
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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新規性
進歩性(29条2項)
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2010/11/25
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不服
2007
-29005
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R-T-B系希土類永久磁石
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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TDK株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/24
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不服
2008
-9473
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シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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石原 詔二
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/24
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不服
2008
-4455
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半導体薄膜の製造装置およびその製造方法ならびに表示装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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堀井 豊
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/17
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不服
2008
-18622
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固体材料の薄膜形成方法及び該方法の応用
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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渡邊 隆
その他
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コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/16
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不服
2007
-32502
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偏極磁石の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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神富士鉱業株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/11/16
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不服
2007
-15201
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埋め込みビット線および上昇されたソース線を持つ浮遊ゲート・メモリセルの半導体メモリ配列を形成するセルフアライメント方法及びその方法により製造されたメモリ配列
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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小川 信夫
その他
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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/15
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不服
2007
-28614
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半導体装置およびその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野本 可奈
その他
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/09
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不服
2007
-31523
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薄膜トランジスタ装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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補正要件
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2010/11/08
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不服
2007
-28160
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半導体素子及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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黒川 弘朗
その他
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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パリ条約
29条の2(拡大された先願の地位)
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2010/11/08
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不服
2008
-698
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窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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日立電線株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/11/05
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不服
2007
-31875
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シリコン薄膜製造装置及びシリコン薄膜製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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宮崎 昭夫
その他
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日本電気株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
新規事項の追加
補正要件
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2010/11/02
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不服
2007
-21045
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半導体素子及びその形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/01
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不服
2007
-14402
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半導体装置およびその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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独立行政法人科学技術振興機構
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/11/01
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不服
2007
-20898
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半導体装置およびその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/11/01
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不服
2007
-6939
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半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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眞鍋 潔
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/10/27
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不服
2007
-31727
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樹脂含浸コイルの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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|
パナソニック電工株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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