| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
|
|
|
2012/02/20
|
不服
2010
-21841
|
半導体装置の製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
岡田 宏之
|
ラピスセミコンダクタ株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/02/13
|
不服
2009
-11738
|
回路構造形成方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
|
フラウンホッファー-ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2012/01/16
|
不服
2009
-7309
|
電子素子用基板製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
園田 吉隆
|
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/12/21
|
不服
2009
-1183
|
エンハンスメント型III族窒化物デバイス
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
|
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
|
原文
|
保存
|
|
パリ条約
|
|
2011/12/21
|
不服
2011
-9267
|
ショットキーバリアダイオード及びその製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
特許業務法人 小笠原特許事務所
|
パナソニック株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/12/12
|
不服
2010
-25243
|
半導体積層構造、半導体素子およびHEMT素子
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
有田 貴弘
|
日本碍子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/10/17
|
不服
2009
-8841
|
フィールドプレートを有するワイドバンドギャップトランジスタデバイス
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
|
クリー インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/07/13
|
不服
2009
-2266
|
半導体デバイスの作製方法及びフリップチップ集積回路
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
|
クリー インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/07/05
|
不服
2009
-2279
|
層配置物および層配置物の製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
山本 秀策
その他
|
インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
|
原文
|
保存
|
|
パリ条約
|
|
2011/07/05
|
不服
2011
-351
|
パワー半導体構成素子及びその作製方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
星 公弘
その他
|
クレー インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
進歩性(29条2項)
パリ条約
|
|
2011/06/23
|
不服
2009
-4502
|
半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
社本 一夫
その他
|
クリー インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
パリ条約
新規事項の追加
|
|
2011/06/14
|
不服
2008
-23135
|
低容量ESD耐性ダイオードの方法および構造
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
市位 嘉宏
その他
|
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
|
原文
|
保存
|
|
パリ条約
新規事項の追加
|
|
2011/05/31
|
不服
2009
-8990
|
電子部材とその製造方法
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
池上 美穂
|
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
パリ条約
新規事項の追加
|
|
2011/04/22
|
不服
2008
-23779
|
横型接合型電界効果トランジスタ
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
酒井 將行
その他
|
住友電気工業株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/04/20
|
不服
2009
-5788
|
半導体の形成方法
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
小野 新次郎
その他
|
レイセオン カンパニー
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/04/05
|
不服
2009
-6142
|
接合電界効果薄膜トランジスタ
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
実広 信哉
その他
|
三星電子株式会社
|
原文
|
保存
|
|
新規事項の追加
|
|
2011/03/17
|
不服
2009
-3807
|
半導体装置及びゲート電極の製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
|
富士通株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/02/17
|
不服
2009
-303
|
電圧駆動型バイポーラ半導体装置
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
田中 光雄
|
関西電力株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/01/14
|
不服
2008
-14627
|
電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタ
|
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
|
|
國立成功大學
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2011/01/11
|
不服
2008
-24283
|
注入ステップを使用して半導体デバイスを製造する方法およびこの方法により製造されるデバイス
|
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
|
吉田 裕
その他
|
クリー、インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/11/26
|
不服
2008
-11656
|
半導体装置、および、その製造方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
|
富士電機システムズ株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/11/17
|
不服
2008
-16585
|
ダイオード
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
荒船 博司
その他
|
日本インター株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/10/15
|
不服
2007
-32514
|
SiCの半導体層を有する半導体素子を製造する方法
|
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
|
森 徹
その他
|
クリー,インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/09/28
|
不服
2008
-2667
|
GaN系電界効果トランジスタ及びその製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
江村 美彦
その他
|
古河電気工業株式会社
|
原文
|
保存
|
|
進歩性(29条2項)
|
|
2010/09/10
|
不服
2009
-22025
|
化合物半導体装置及びその製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
山本 秀策
その他
|
シャープ株式会社
|
原文
|
保存
|
|
進歩性(29条2項)
国内優先権
|
|
2010/08/18
|
不服
2009
-10451
|
電圧吸収エッジを有するｐn接合を含むSiC半導体装置
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
森 徹
その他
|
クリー、インコーポレイテッド
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/08/18
|
不服
2007
-13303
|
半導体装置
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
|
OKIセミコンダクタ株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/08/18
|
不服
2007
-27413
|
半導体電子デバイス
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
|
古河電気工業株式会社
|
原文
|
保存
|
|
29条1項3号
|
|
2010/06/22
|
不服
2007
-20711
|
高電圧ダイオードおよびその製造方法
|
本件審判の請求は,成り立たない。
|
特許業務法人原謙三国際特許事務所
|
オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
|
2010/04/26
|
不服
2007
-32256
|
電界効果トランジスタ
|
本件審判の請求は、成り立たない。
|
机 昌彦
その他
|
日本電気株式会社
|
原文
|
保存
|
|
該当なし
|
