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現在の検索キーワード：太田一平

175 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2013/01/31	不服 2012 -3825	半導体基板の製造方法および半導体基板製造装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社日本製鋼所	原文	保存
該当なし
2013/01/21	不服 2012 -21158	燃料電池の構造体	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日本碍子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/20	不服 2011 -14743	多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法、および多結晶シリコン層を用いる平板表示装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星ディスプレイ株式會社	原文	保存
該当なし
2012/12/18	不服 2012 -4878	半導体素子のための緩衝化基板	本件審判の請求は、成り立たない。	特許業務法人谷・阿部特許事務所	トムソンライセンシング	原文	保存
該当なし
2012/12/12	不服 2012 -21159	燃料電池のスタック構造体	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日本碍子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/10/02	不服 2011 -12040	共注入後の薄膜層のカタストロフィ的転写方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	川口義雄その他	コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミクソワテク	原文	保存
該当なし
2012/09/24	不服 2011 -12974	半導体電子デバイス	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	田代至男	古河電気工業株式会社	原文	保存
該当なし
2012/09/10	不服 2010 -20917	多結晶シリコンの製造方法及びそれを利用する半導体素子の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	実広信哉	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/09/07	不服 2011 -10690	半導体装置の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2012/08/14	不服 2010 -24719	低減された平均自由行程長を有する半導体材料を含む本体を作製する方法およびこの方法を用いて作製された本体	本件審判の請求は、成り立たない。	森下夏樹その他	インフィネオンテクノロジーズアーゲー	原文	保存
該当なし
2012/08/13	不服 2010 -16302	半導体物質の表面改質方法、半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社イー・エム・ディー	原文	保存
該当なし
2012/07/23	不服 2011 -7523	SOI基板の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2012/05/23	不服 2010 -7260	歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法及びこの方法の中間生成物	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	野田雅一その他	ソイテック	原文	保存
該当なし
2012/05/08	不服 2010 -24574	半導体装置の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2012/03/28	不服 2010 -26357	半導体装置の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2012/03/15	不服 2011 -13759	半導体装置の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2012/03/08	不服 2011 -2181	装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2011/09/26	不服 2009 -25220	半導体装置の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2011/09/20	不服 2009 -24659	イオン分布計算方法およびプログラム	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2010/11/24	不服 2008 -4455	半導体薄膜の製造装置およびその製造方法ならびに表示装置	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。	荒川伸夫その他	シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2010/11/22	不服 2008 -19315	結晶質薄膜の形成方法、結晶質薄膜の製造装置、薄膜トランジスタ、および光電変換素子	本件審判の請求は、成り立たない。	酒井將行その他	シャープ株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2010/11/05	不服 2008 -7432	半導体基板の製造方法及び半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2010/11/02	不服 2008 -6236	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		シャープ株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2010/06/15	不服 2007 -26593	MIMキャパシタ及び高周波集積回路	本件審判の請求は,成り立たない。	田中光雄その他	シャープ株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2010/04/27	不服 2009 -17777	低エネルギ注入を用いた逆行ウェル構造及びパンチスルー・バリアの形成方法	本件審判の請求は,成り立たない。	社本一夫その他	エルエスアイコーポレーション	原文	保存
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