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114 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2015/10/06	不服 2014 -15565	ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム	本件審判の請求は、成り立たない。		ソラアインコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2015/08/11	不服 2014 -8969	UV線を用いたシリコン含有膜の低温エピタキシャル成長	本件審判の請求は、成り立たない。	小林義教	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2015/07/29	不服 2013 -19583	シリコンを含有するエピタキシャル層の形成	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	園田吉隆	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2015/07/10	不服 2014 -15583	炭化シリコン基板上のIII族窒化物エピタキシャル層	本件審判の請求は、成り立たない。	小林泰その他	クリーインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2015/07/06	不服 2014 -14242	誘電材料処理システム及び当該システムの操作方法	本件審判の請求は、成り立たない。	山口昭則その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2015/06/19	不服 2013 -23044	酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素膜、それらの形成方法、並びに化学気相成長用組成物	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2015/03/26	不服 2014 -189	窒化物半導体構造とその製造方法および発光素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2015/03/18	不服 2014 -1864	有機アミノシラン前駆体からの酸化ケイ素膜の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2014/12/26	不服 2013 -6541	成長中にｐ型ドーパントがドープされたｐ型半極性III窒化物半導体を使用して、該III窒化物デバイスまたはIII窒化物半導体を製造する方法、半極性III窒化物半導体、および、ｐ型III窒化物半導体を製造する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	山本秀策	ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア	原文	保存
該当なし
2014/12/11	不服 2013 -15444	改良されたチャンバ洗浄方法及び装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	小林義教	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2014/12/11	不服 2013 -9413	アモルファスカーボン層の高温堆積のための方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	園田吉隆	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2014/11/17	不服 2013 -23321	選択的酸化プロセスの酸化物成長速度の改良方法	本件審判の請求は、成り立たない。	小林義教	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2014/11/10	不服 2013 -18600	薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2014/10/10	不服 2013 -18103	プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		住友重機械工業株式会社	原文	保存
該当なし
2014/10/09	不服 2013 -15487	酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体発光素子の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		スタンレー電気株式会社	原文	保存
該当なし
2014/09/24	不服 2013 -21146	ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積	本件審判の請求は、成り立たない。	鈴江正二その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2014/09/01	不服 2013 -23363	有機金属化学気相成長法(MOCVD)による平坦な無極性｛1-100｝m面窒化ガリウムの成長方法及び装置	本件審判の請求は、成り立たない。	清水守	ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア独立行政法人科学技術振興機構	原文	保存
該当なし
2014/06/25	不服 2013 -18849	シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	園田吉隆	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2014/05/27	不服 2013 -5894	エピタキシャル堆積プロセス及び装置	本件審判の請求は、成り立たない。	小林義教	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2014/05/27	不服 2013 -542	化学気相成長によって置換的に炭素でドーピングされた結晶性Si含有材料を製造する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	八木澤史彦	エーエスエムアメリカインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2014/02/25	不服 2013 -1465	有機金属化学気相堆積装置	本件審判の請求は、成り立たない。	寺田雅弘	奇力光電科技股▲分▼有限公司	原文	保存
該当なし
2014/01/22	不服 2012 -18193	寄生電流経路を閉塞するために交互の高温層および低温層を用いる超格子の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	大倉昭人	インターナショナルレクティフィアーコーポレイション	原文	保存
該当なし
2014/01/17	不服 2013 -4677	誘電体膜を硬化させる多段階システム及び方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	伊東忠彦その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2013/12/10	不服 2012 -4409	低温での金属酸化物膜の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	臼井伸一その他	エイエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.	原文	保存
該当なし
2013/10/07	不服 2012 -12941	低温ポリシリコンTFTのための多層高品質ゲート誘電体	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2013/10/03	不服 2013 -142	サファイア基板を活性窒素に暴露して半導体デバイスを作製する方法及び半導体デバイス	本件審判の請求は、成り立たない。	星野修その他	トラスティーズオブボストンユニバーシティ	原文	保存
該当なし
2013/09/10	不服 2012 -16559	化学気相蒸着装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2013/08/20	不服 2012 -23650	ヒータ温度均一化装置	本件審判の請求は、成り立たない。	小林義教	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2013/08/13	不服 2012 -11933	改良されたバフル板のための方法及び装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	大貫進介その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2013/07/24	不服 2012 -14437	オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		クリーインコーポレイテッド	原文	保存
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