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現在の検索キーワード： 瀧内 健夫

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/08/08 不服
2012 -24935  		ワイドバンドギャップ半導体における常時オフ集積JFET電源スイッチおよび作成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森下 夏樹   エスエス エスシー アイピー、エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/08/01 不服
2012 -20975  		抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/07/31 不服
2012 -18971  		磁気トンネル接合の封入方法、磁気デバイスの形成方法、および磁気トンネル接合構造 本件審判の請求は、成り立たない。   マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/07/31 不服
2012 -24928  		高効率および/または高電力密度のワイドバンドギャップトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/07/29 不服
2012 -17658  		磁気抵抗効果素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2013/07/19 不服
2012 -19046  		巨大磁気抵抗複合材料体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆 その他   鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ツィンファ ユニバーシティ   原文 保存
該当なし 　
2013/06/19 不服
2012 -15835  		半導体磁気抵抗素子およびその設計方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 その他   旭化成エレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/06/18 不服
2011 -16915  		電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 浅村 肇 その他   フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2013/05/30 不服
2012 -781  		トラッピング(ｔｒaｐｐing)を低減させたIII族窒化物ベースの電界効果トランジスタ(FET)およびトランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上杉 浩 その他   クリー インコーポレイテッド ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア   原文 保存
該当なし 　
2013/05/20 不服
2012 -9902  		GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人情報通信研究機構   原文 保存
該当なし 　
2013/05/20 不服
2012 -19935  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 山口 昭則 その他   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/05/15 不服
2012 -15263  		薄膜成膜装置 本件審判の請求は,成り立たない。 小林 義教   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/04/26 不服
2012 -15796  		化合物半導体構造とその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/24 不服
2012 -16133  		Cｕ配線を有するCMOSイメージャ及びそれから高反射性界面を除去する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2013/04/23 不服
2012 -9410  		NANDフラッシュメモリ素子 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/16 不服
2012 -8744  		半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/09 不服
2012 -11215  		大容量性負荷のためのトレンチIGBT 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2013/04/08 不服
2012 -6889  		炭化珪素半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/04 不服
2012 -7772  		シリコン基板上にIII族窒化物材料を成長させた装置及びその作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 光雄 その他   アイメック   原文 保存
該当なし 　
2013/04/01 不服
2012 -2289  		固体撮像素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/04/01 不服
2011 -27055  		エンドレスゲートトレンチを備える電力半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2013/03/27 不服
2011 -27790  		熱電装置およびその用途 本件審判の請求は、成り立たない。 清水 初志 その他   バッテル メモリアル インスティチュート   原文 保存
該当なし 　
2013/03/27 不服
2012 -9690  		逆阻止型絶縁ゲート形半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/03/25 不服
2012 -964  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/03/12 不服
2011 -25429  		フローティングゲート型メモリアレイの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 堀井 豊 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/03/11 不服
2012 -10953  		空乏ストップ層を有するトレンチ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2013/02/27 不服
2012 -2097  		五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡部 正夫 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/02/22 不服
2012 -8743  		半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/12 不服
2012 -4914  		三元化合物チャネル層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西山 清春 その他   ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ   原文 保存
該当なし 　
2013/02/04 不服
2012 -1980  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲宗根 康晴 その他   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし 　

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