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瀧内 健夫
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2010/03/23
不服
2007 -12432
白金金属層を用いたキャパシタ製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
志賀 正武 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/02/02
不服
2007 -1437
ゲート電極と単一電子ストレージエレメントとの間に量子点を備える単一電子メモリ素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2009/12/14
不服
2007 -200
強誘電体メモリ素子の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
新規事項の追加
2009/11/10
不服
2006 -25645
高集積強誘電体メモリ装置及びその製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
志賀 正武 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2009/08/19
不服
2006 -26197
半導体装置のキャパシタ及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2009/07/21
不服
2006 -24612
強誘電体メモリセル及び該セルを含む強誘電体メモリ装置
本件審判の請求は、成り立たない。
奈良 泰男 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2009/03/19
不服
2007 -32177
不揮発性半導体メモリ装置
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/02/23
不服
2005 -24277
半導体集積回路装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
市川 利光 その他
ローム株式会社
原文
保存
該当なし
2008/12/12
不服
2007 -11117
ヒューズバンク装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山崎 利臣 その他
キマンダ アクチエンゲゼルシャフト
原文
保存
パリ条約
2008/09/10
不服
2005 -24733
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2008/09/08
不服
2006 -1489
DRAMキャパシタの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
ウィンボンド エレクトロニクス コープ
原文
保存
新規事項の追加
2008/07/18
不服
2006 -2247
半導体集積回路装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社ルネサステクノロジ
原文
保存
該当なし
2007/11/09
不服
2005 -5870
ジュアルダマシーンコンデンサを備えた集積回路デバイスおよびこれを製造するための関連する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
朝日 伸光 その他
ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
原文
保存
パリ条約
2007/10/29
不服
2007 -16949
X線画像検出器
本件審判の請求は、成り立たない。
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
原文
保存
パリ条約
2007/07/12
不服
2003 -2207
静電気放電保護回路及び静電気放電保護回路を形成する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド
原文
保存
パリ条約
2007/01/05
不服
2004 -20821
半導体メモリ
本件審判の請求は、成り立たない。
吉竹 英俊 その他
株式会社ルネサステクノロジ
原文
保存
該当なし
2006/05/01
不服
2003 -1761
高耐圧IC
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士電機デバイステクノロジー株式会社
原文
保存
該当なし
2006/02/21
不服
2002 -2439
ダイヤモンド半導体作製方法およびダイヤモンド半導体
本件審判の請求は、成り立たない。
福田 伸一 その他
独立行政法人産業技術総合研究所 独立行政法人科学技術振興機構
原文
保存
技術的範囲 新規事項の追加
2006/02/06
不服
2004 -6079
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三洋電機株式会社
原文
保存
該当なし
2006/01/26
不服
2004 -21283
半導体装置とその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
保存
該当なし
2006/01/13
不服
2004 -21463
高誘電体キャパシタの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
保存
該当なし
2006/01/12
不服
2003 -15030
MOSデバイスの作製
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
本宮 照久 その他
ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
原文
保存
パリ条約
2006/01/11
不服
2004 -1731
トランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
シャープ株式会社
原文
保存
該当なし
2006/01/05
不服
2003 -23087
半導体素子及びその形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
市位 嘉宏 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2006/01/04
不服
2001 -11933
装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
藤野 育男 その他
エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
原文
保存
パリ条約
2005/12/26
不服
2003 -20928
積層構造体及びそれを用いた化合物半導体デバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
福田 賢三 その他
昭和電工株式会社
原文
保存
該当なし
2005/12/20
不服
2003 -14169
半導体装置、液晶表示装置、EL装置、TVカメラ表示装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム、TVプロジェクション装置及びビデオカメラ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2005/12/06
不服
2001 -5016
半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
白土 猛英
原文
保存
該当なし
2005/12/02
不服
2003 -21367
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
保存
該当なし
2005/11/30
不服
2004 -24360
積層電子部品
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社村田製作所
原文
保存
該当なし
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