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現在の検索キーワード： 萩原 周治

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2010/06/03 不服
2007 -20493  		薄膜半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/05/18 不服
2007 -17178  		エミッタ-ベーススペーサ領域中に低K材料を有するバイポーラトランジスタの作製方法 本件審判の請求は,成り立たない。 越智 隆夫 その他   アギア システムズ ガーディアン コーポレーション   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2010/04/26 不服
2007 -21858  		貼り合わせウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/04/23 不服
2007 -15331  		半導体集積回路及び半導体集積回路の配線レイアウト方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/04/14 不服
2009 -7190  		基盤上に形成された薄層およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 園田 吉隆   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2010/04/13 不服
2007 -4112  		シリコン半導体基板およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 都祭 正則 その他   シルトロニック・ジャパン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/04/06 不服
2007 -11808  		シリコンウェーハの熱処理方法 本件審判の請求は,成り立たない。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/03/23 不服
2007 -1861  		半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大賀 眞司 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/03/10 不服
2007 -8008  		プラズマ表面処理方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし 　
2010/02/10 不服
2007 -11782  		シリコンウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 進介   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/02/01 不服
2007 -12673  		シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石原 詔二   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/27 不服
2007 -5491  		半導体装置とその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 内野 則彰 その他   セイコーインスツル株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2010/01/21 不服
2007 -12940  		シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/21 不服
2007 -12939  		シリコンウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/13 不服
2007 -5715  		窒化物半導体素子の製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 朝日奈 宗太   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/12 不服
2007 -2780  		ブートストラップゲート電界効果トランジスタを用いた電圧制御抵抗器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/05 不服
2007 -4046  		半導体基板 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 恵三   キヤノン株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2010/01/05 不服
2006 -28394  		薄膜転移及び薄膜分離方法 本件審判の請求は,成り立たない。   ジョン ウルフ インターナショナル インコーポレイテッド   原文 保存
 技術的範囲  新規性  進歩性(29条2項) 　
2009/12/28 不服
2007 -11844  		シリコン単結晶ウエーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/12/21 不服
2007 -924  		半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河野 哲 その他   株式会社東芝   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/12/14 不服
2007 -2574  		SOI基板の熱処理方法及び熱処理装置並びにそれを用いたSOI基板の作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 恵三   キヤノン株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  新規事項の追加 　
2009/12/10 不服
2006 -21260  		GaN単結晶基板及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 柴田 昌聰 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/12/10 不服
2007 -1360  		SOI型基板の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 宇谷 勝幸 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/12/03 不服
2006 -21584  		シリコン系結晶薄膜の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   日新電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/11/30 不服
2007 -1279  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2009/11/04 不服
2006 -26746  		ｐ型半導体層活性化方法 本件審判の請求は,成り立たない。 魚住 高博 その他   洲磊科技股▲ふん▼有限公司   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2009/11/02 不服
2006 -28273  		エピタキシャルウエハ用シリコン基板及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   コバレントマテリアル株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/10/27 不服
2006 -22737  		ドーピング処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2009/10/20 不服
2006 -22973  		SOI基板の作製方法およびSOI基板 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  技術的範囲 　
2009/10/14 不服
2006 -26032  		素子形成用基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　

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