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飯田 清司
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2015/12/08
不服
2014 -22590
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
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該当なし
2015/12/08
不服
2014 -25087
少なくとも1つのセキュアなメモリ領域と少なくとも1つの非セキュアなメモリ領域とを同時に提供するメモリモジュール
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
原文
保存
該当なし
2015/11/30
不服
2014 -9480
有効データインジケータの使用によってダイナミックRAM電力消費を減らすシステムおよび方法
本件審判の請求は、成り立たない。
砂川 克 その他
クゥアルコム・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2015/11/30
不服
2014 -8021
圧電体モジュール
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社タムラ製作所
原文
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該当なし
2015/11/30
不服
2014 -14284
スイッチング制御装置及びショットキーダイオード
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
平田 忠雄
株式会社光波 国立研究開発法人物質・材料研究機構
原文
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該当なし
2015/11/24
不服
2014 -11179
不揮発性データ保存装置のプログラミング方法及びその装置
本件審判の請求は、成り立たない。
伊東 忠彦 その他
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2015/11/24
不服
2014 -12476
クラックストップを備えたデバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
小林 義教
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2015/11/24
不服
2014 -17013
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
高橋 英樹 その他
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
2015/11/24
不服
2013 -12000
遮蔽された電気ケーブル及び作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
城戸 博兒 その他
スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
原文
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該当なし
2015/11/24
不服
2014 -13004
直列接続式の高電子移動度トランジスターデバイス及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
時岡 恭平 その他
國立交通大學
原文
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該当なし
2015/11/17
不服
2014 -14317
半導体記憶装置およびそのテスト方法
本件審判の請求は、成り立たない。
鷲頭 光宏 その他
ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
原文
保存
該当なし
2015/11/11
不服
2015 -1306
合成樹脂製のケーブル・配管類保護案内部材
本件審判の請求は、成り立たない。
加藤 来 その他
株式会社椿本チエイン 株式会社デンソーウェーブ
原文
保存
該当なし
2015/11/05
不服
2014 -16470
連想記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2015/11/05
不服
2014 -22034
半導体デバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
ソニー株式会社
原文
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該当なし
2015/10/27
不服
2014 -24419
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
黒瀬 泰之 その他
ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
原文
保存
該当なし
2015/10/26
不服
2014 -19627
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2015/10/26
不服
2014 -8432
選択的プリチャージを使用したメモリ読取り安定性の改善
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
野河 信久 その他
クゥアルコム・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2015/10/20
不服
2014 -6116
磁気トンネル接合デバイスおよびその製造
本件審判の請求は、成り立たない。
黒田 晋平
クアルコム,インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2015/10/19
不服
2014 -15862
低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ
本件審判の請求は、成り立たない。
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
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該当なし
2015/10/19
不服
2014 -6494
内蔵熱電冷却機を備えるマイクロエレクトロニクス・アセンブリおよびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
本城 吉子
インテル・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2015/10/19
不服
2014 -19942
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
加藤 和詳 その他
ラピスセミコンダクタ株式会社
原文
保存
該当なし
2015/10/15
不服
2014 -15861
バーチカル型相変化メモリセル
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
杉村 憲司
アイメック ヴィー ゼット ダブリュー エヌエックスピー ビー ヴィ
原文
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該当なし
2015/10/14
不服
2014 -18816
半導体基板のエッチング方法および静電容量型MEMSセンサの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
川崎 実夫 その他
ローム株式会社
原文
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該当なし
2015/10/14
不服
2014 -18002
圧電素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
中島 淳 その他
富士フイルム株式会社
原文
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該当なし
2015/10/01
不服
2014 -18689
3ポートコンテントアドレサブルメモリデバイスおよびそれを実現するための方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大貫 敏史 その他
コア・ネットワークス・リミテッド ライアビリティ カンパニー
原文
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該当なし
2015/10/01
不服
2014 -18912
NANDフラッシュメモリユニット、NANDフラッシュメモリ配列、およびそれらの動作方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
群聯電子股▲ふん▼有限公司
原文
保存
該当なし
2015/10/01
不服
2014 -15572
半導体集積回路装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2015/10/01
不服
2014 -12914
低プロファイルのワイヤループを形成する方法およびその装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク.
原文
保存
該当なし
2015/09/29
不服
2013 -18839
フラッシュのマルチレベル閾値分布方式
本件審判の請求は、成り立たない。
黒瀬 泰之 その他
コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2015/09/29
不服
2014 -9724
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
サンケン電気株式会社
原文
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該当なし
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