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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2015/12/08 不服
2014 -22590 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/08 不服
2014 -25087 
少なくとも1つのセキュアなメモリ領域と少なくとも1つの非セキュアなメモリ領域とを同時に提供するメモリモジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -9480 
有効データインジケータの使用によってダイナミックRAM電力消費を減らすシステムおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。 砂川 克 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -8021 
圧電体モジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社タムラ製作所   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -14284 
スイッチング制御装置及びショットキーダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 平田 忠雄   株式会社光波 国立研究開発法人物質・材料研究機構   原文 保存
該当なし  
2015/11/24 不服
2014 -11179 
不揮発性データ保存装置のプログラミング方法及びその装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/11/24 不服
2014 -12476 
クラックストップを備えたデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 義教   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/11/24 不服
2014 -17013 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高橋 英樹 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/11/24 不服
2013 -12000 
遮蔽された電気ケーブル及び作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 城戸 博兒 その他   スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー   原文 保存
該当なし  
2015/11/24 不服
2014 -13004 
直列接続式の高電子移動度トランジスターデバイス及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 時岡 恭平 その他   國立交通大學   原文 保存
該当なし  
2015/11/17 不服
2014 -14317 
半導体記憶装置およびそのテスト方法 本件審判の請求は、成り立たない。 鷲頭 光宏 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2015/11/11 不服
2015 -1306 
合成樹脂製のケーブル・配管類保護案内部材 本件審判の請求は、成り立たない。 加藤 来 その他   株式会社椿本チエイン 株式会社デンソーウェーブ   原文 保存
該当なし  
2015/11/05 不服
2014 -16470 
連想記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/11/05 不服
2014 -22034 
半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/27 不服
2014 -24419 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 黒瀬 泰之 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2015/10/26 不服
2014 -19627 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/26 不服
2014 -8432 
選択的プリチャージを使用したメモリ読取り安定性の改善 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野河 信久 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/10/20 不服
2014 -6116 
磁気トンネル接合デバイスおよびその製造 本件審判の請求は、成り立たない。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/10/19 不服
2014 -15862 
低減されたオン抵抗及び最上面金属拡がり抵抗を有する、パワートランジスタパッケージング用の半導体パッケージ 本件審判の請求は、成り立たない。   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2015/10/19 不服
2014 -6494 
内蔵熱電冷却機を備えるマイクロエレクトロニクス・アセンブリおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 本城 吉子   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2015/10/19 不服
2014 -19942 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 加藤 和詳 その他   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/15 不服
2014 -15861 
バーチカル型相変化メモリセル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司   アイメック ヴィー ゼット ダブリュー エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2015/10/14 不服
2014 -18816 
半導体基板のエッチング方法および静電容量型MEMSセンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川崎 実夫 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/14 不服
2014 -18002 
圧電素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中島 淳 その他   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/01 不服
2014 -18689 
3ポートコンテントアドレサブルメモリデバイスおよびそれを実現するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 敏史 その他   コア・ネットワークス・リミテッド ライアビリティ カンパニー   原文 保存
該当なし  
2015/10/01 不服
2014 -18912 
NANDフラッシュメモリユニット、NANDフラッシュメモリ配列、およびそれらの動作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   群聯電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2015/10/01 不服
2014 -15572 
半導体集積回路装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/01 不服
2014 -12914 
低プロファイルのワイヤループを形成する方法およびその装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク.   原文 保存
該当なし  
2015/09/29 不服
2013 -18839 
フラッシュのマルチレベル閾値分布方式 本件審判の請求は、成り立たない。 黒瀬 泰之 その他   コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2015/09/29 不服
2014 -9724 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サンケン電気株式会社   原文 保存
該当なし  

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