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現在の検索キーワード: 綿引 隆

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2016/02/08 不服
2014 -23330 
酸化物半導体膜の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2016/02/08 不服
2014 -21817 
レーザ照射装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2016/02/02 不服
2014 -25728 
ネスト化複合スイッチ 本件審判の請求は、成り立たない。   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2016/01/25 不服
2014 -22700 
薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社JOLED   原文 保存
該当なし  
2016/01/25 不服
2014 -16700 
熱プロセスによってエッチングされた基板からハロゲン残渣を除去するための統合された方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/01/25 不服
2014 -20884 
エピタキシャル基板 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/01/25 不服
2014 -16436 
電子素子用電子ブロック層 本件審判の請求は、成り立たない。   サンディスク コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2016/01/19 不服
2015 -2986 
トランジスタを有する装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2016/01/19 不服
2014 -19933 
電極規定層を包含する窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 松田 豊治 その他   インターナショナル・レクティファイアー・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2016/01/15 不服
2015 -506 
基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/01/13 異議
2015 -700197 
半導体装置 特許第5721351号の請求項1、2、3、5、6、14に係る特許を維持する。 川崎 実夫     原文 保存
該当なし  
2016/01/05 不服
2014 -15924 
プラズマ処理システムにおけるイオンエネルギ分布の制御 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2016/01/05 不服
2014 -21511 
加熱溶融処理方法および加熱溶融処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アユミ工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/28 不服
2014 -14348 
プラズマ発生装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2015/12/21 不服
2014 -22588 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠重   ミツミ電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/21 不服
2014 -22415 
化合物半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 國分 孝悦   住友電工デバイス・イノベーション株式会社 富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/21 不服
2014 -18644 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 昭徳   富士電機株式会社 株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2015/12/16 不服
2014 -16323 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐々木 聖孝   国立大学法人東北大学 東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/16 不服
2014 -23900 
共通基板上にカラムIII-VトランジスタとともにシリコンCMOSトランジスタを有する半導体構造 本件審判の請求は,成り立たない。 小野 新次郎 その他   レイセオン カンパニー   原文 保存
該当なし  
2015/12/15 不服
2014 -22788 
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   芝浦メカトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/11 不服
2014 -12254 
フラッシュメモリ技術およびLOCOS/STIアイソレーションに関する、回路の窒化トンネル酸化物のための窒化バリア 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲葉 良幸   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2015/12/08 不服
2014 -22590 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/07 不服
2014 -16919 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/07 不服
2014 -16096 
エッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及び半導体基板製品の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 飯田 敏三   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/01 不服
2014 -20518 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 大西 邦幸 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -16679 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -15455 
エピタキシャルウエハおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 横山 直史 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -20322 
SOIウェハの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 上田 俊一 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -14284 
スイッチング制御装置及びショットキーダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 平田 忠雄   株式会社光波 国立研究開発法人物質・材料研究機構   原文 保存
該当なし  
2015/11/30 不服
2014 -11011 
半導体エピタキシャル基板及び半導体センサ用基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   JX日鉱日石金属株式会社   原文 保存
該当なし  

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