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現在の検索キーワード：杢哲次

78 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2012/01/06	不服 2009 -17315	固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	松尾憲一郎	ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/28	不服 2010 -13834	固体撮像装置、その製造方法およびカメラ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/12	不服 2010 -15578	積層構造物	本件審判の請求は、成り立たない。	安藤克則その他	エレメントシックスリミテッド	原文	保存
該当なし
2011/10/11	不服 2009 -11318	多結晶シリコン薄膜の製造方法及びこれを用いて製造される多結晶シリコンを用いる薄膜トランジスタ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	三好秀和その他	三星モバイルディスプレイ株式會社	原文	保存
パリ条約
2011/10/03	不服 2009 -9467	半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	村山靖彦その他	株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2011/09/13	不服 2009 -19703	固体撮像素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	角田芳末	ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2011/09/13	不服 2009 -10788	多結晶シリコン薄膜の製造方法及びこれを使用して製造されたディスプレーデバイス	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星モバイルディスプレイ株式會社	原文	保存
該当なし
2011/09/06	不服 2009 -460	ZnO系エピタキシャル成長基板、ZnO系エピタキシャル下地基板、及びZnO系膜の製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。		日本碍子株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/10	不服 2009 -4790	薄膜半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社液晶先端技術開発センター	原文	保存
該当なし
2011/06/02	不服 2009 -14678	半導体基板および半導体基板の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	西島孝喜その他	フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー	原文	保存
該当なし
2011/02/28	不服 2009 -483	III族窒化物素子及びIII族窒化物エピタキシャル基板	本件審判の請求は、成り立たない。	杉村憲司	日本碍子株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2010/12/15	不服 2007 -10454	多結晶半導体膜の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2010/11/01	不服 2007 -6939	半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。	柏谷昭司その他	シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2010/10/26	不服 2008 -3908	窒素含有半導体物質のデバイス	本件審判の請求は、成り立たない。	山本浩	シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト	原文	保存
新規事項の追加パリ条約
2010/04/27	不服 2008 -26283	注入工程を使用してSiC半導体層を有する半導体デバイスを製造する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	浅村皓その他	クリー、インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2010/03/30	不服 2008 -23987	固体撮像素子	本件審判の請求は、成り立たない。	伊藤仁恭	ソニー株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2010/03/04	不服 2007 -1282	結晶性半導体薄膜とその製造方法、および薄膜トランジスタとその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2009/05/19	不服 2006 -23987	結晶性珪素膜の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし

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