審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2013/06/26
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不服 2012
-1266
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高周波数用途向けの電界効果トランジスタを備えた電子デバイス
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本件審判の請求は、成り立たない。
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佐藤 泰和
その他
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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原文
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該当なし
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2013/06/25
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不服 2012
-24802
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半導体デバイスにおける厚い酸化物領域およびその形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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臼井 伸一
その他
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アギア システムズ インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/25
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不服 2012
-13394
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高電圧半導体装置に対して用いられるウエハーを形成する方法及び高電圧半導体装置に対して用いられるウエハー
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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杉村 憲司
その他
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インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/25
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不服 2012
-14257
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半導体素子のキャパシタ製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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エスケーハイニックス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/25
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不服 2012
-13823
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低電圧用の半導体メモリ装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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658868 エヌ ビー インク
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/24
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不服 2012
-13988
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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速水 進治
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/24
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不服 2012
-11944
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向上した動作性能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路とその読み出し及びプログラム動作制御方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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エスケーハイニックス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/24
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不服 2012
-10650
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拡散バリアー層及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/24
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不服 2012
-24638
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溝ゲート型SiC半導体装置の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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永坂 友康
その他
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トヨタ自動車株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/18
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不服 2011
-16915
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電界効果トランジスタ及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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浅村 皓
その他
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フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレイション
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/18
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不服 2012
-14911
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改良した集積回路分離構成体及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/17
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不服 2012
-19231
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SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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好宮 幹夫
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信越化学工業株式会社
信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/17
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不服 2012
-19233
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SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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好宮 幹夫
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信越化学工業株式会社
信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/13
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不服 2012
-22603
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イメージセンサ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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奥山 尚一
その他
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インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/12
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不服 2012
-14140
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基板の2つの面間の電気的接続および製造工程
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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小林 義教
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コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/10
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不服 2012
-11797
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半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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大貫 進介
その他
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インタレクチュアル ヴェンチャーズ ファースト エルエルシー
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/05
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不服 2012
-15107
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半導体構造、メモリアレイ、電子システム、及び半導体構造の形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/04
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不服 2012
-13606
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基板における電気的な構成素子から成る装置および該装置を製造する方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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久野 琢也
その他
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オイペック オイロペーイッシェ ゲゼルシャフト フュール ライスツングスハルプライター ミット ベシュレンクテル ハフツング
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/04
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不服 2012
-16913
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CMOSイメージセンサの単位画素及びCMOSイメージセンサの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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有原 幸一
その他
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インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/04
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不服 2012
-14867
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ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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実広 信哉
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/04
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不服 2012
-6543
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シンクロナス整流器或いは電圧クランプ用の3端子パワーMOSFETスイッチ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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勝見 陽介
その他
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シリコニックス・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2013/06/04
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不服 2012
-21093
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トレンチ拡散領域を有する金属酸化物半導体デバイスおよびその形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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臼井 伸一
その他
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アギア システムズ インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/31
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不服 2012
-6467
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多層配線半導体集積回路、半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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エルピーダメモリ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/31
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不服 2012
-17970
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プロセッサ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社半導体エネルギー研究所
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/29
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不服 2012
-14133
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自己整合接点形成用エッチングに用いるためのシリサイドゲート積層体の形成方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/29
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不服 2012
-15722
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絶縁体構造を強化した電界効果トランジスタ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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荒木 淳
その他
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インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/29
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不服 2012
-17305
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多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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NLTテクノロジー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/29
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不服 2012
-11404
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固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/27
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不服 2012
-9922
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固体撮像装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2013/05/23
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不服 2012
-6557
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半導体メモリのための修復装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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