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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/02/25 不服
2011 -28190  		半導体記憶装置および情報処理システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/21 不服
2012 -1678  		薄膜半導体デバイスおよび薄膜半導体デバイスの製法 本件審判の請求は、成り立たない。 佐藤 剛 その他   ピーエスティ・センサーズ・(プロプライエタリー)・リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/02/20 不服
2012 -9010  		半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 川崎 実夫   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/19 不服
2011 -23255  		フラッシュメモリ装置のワード線を保護するための方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。 堀井 豊 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/02/19 不服
2012 -6246  		半導体装置及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 下坂 直樹   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/18 不服
2012 -2334  		CASレイテンシを利用してロッキングレゾリューション調節が可能な遅延同期ループ回路 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/18 不服
2011 -26709  		半導体装置の信号バスラインレイアウト構造及びその方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/18 不服
2012 -9226  		トリプルゲートトランジスタを有する半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/15 不服
2012 -4301  		炭化ケイ素MOSFETの製造方法および炭化ケイ素MOSFET 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2013/02/14 不服
2012 -11833  		ヒロック・フリー多層メタル線を有する薄膜構造 本件審判の請求は、成り立たない。 木越 力 その他   トムソン ライセンシング   原文 保存
該当なし 　
2013/02/12 不服
2011 -26223  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/07 不服
2012 -3367  		半導体集積回路装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/07 不服
2012 -5861  		シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造 本件審判の請求は、成り立たない。 安村 高明 その他   クリー インコーポレイテッド ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア   原文 保存
該当なし 　
2013/02/06 不服
2012 -4103  		半導体デバイスのゲートのクリティカルディメンションを改善するためのゲート材料のプレーナ化 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/02/05 不服
2012 -4387  		半導体電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田代 至男   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/05 不服
2011 -10205  		共注入と熱アニールによって特性の改善された薄層を得るための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大浦 裕美 その他   ソワテク   原文 保存
該当なし 　
2013/02/05 不服
2012 -713  		2つのタイプの減結合コンデンサを備えた集積回路および方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/01/25 不服
2012 -797  		半導体装置及びその使用乃至製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 星 公弘 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし 　
2013/01/21 不服
2011 -26767  		へテロ接合トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人浅村特許事務所 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/01/21 不服
2011 -21954  		イメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 有原 幸一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2013/01/17 不服
2011 -22307  		測定で求めた電気的特性に基づいて製造プロセスを制御するための方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 早川 裕司   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/01/16 不服
2012 -4650  		炭化珪素トランジスタ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 内野 雅子   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2013/01/11 不服
2011 -27797  		半導体構造の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2013/01/10 不服
2011 -19961  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/10 不服
2012 -1937  		電界効果トランジスタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 直樹 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2013/01/10 不服
2011 -24086  		半導体装置構造および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   ヤマハ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/09 不服
2012 -5029  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/09 不服
2012 -1675  		パワーMOSFET 本件審判の請求は、成り立たない。 碓氷 裕彦 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2013/01/07 不服
2012 -5547  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/07 不服
2011 -23027  		クロック分配回路の設計方法,設計装置および設計プログラム並びに同プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　

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