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北島 健次
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2013/02/25
不服
2011 -28190
半導体記憶装置および情報処理システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2013/02/21
不服
2012 -1678
薄膜半導体デバイスおよび薄膜半導体デバイスの製法
本件審判の請求は、成り立たない。
佐藤 剛 その他
ピーエスティ・センサーズ・(プロプライエタリー)・リミテッド
原文
保存
該当なし
2013/02/20
不服
2012 -9010
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
川崎 実夫
ローム株式会社
原文
保存
該当なし
2013/02/19
不服
2011 -23255
フラッシュメモリ装置のワード線を保護するための方法および装置
本件審判の請求は、成り立たない。
堀井 豊 その他
スパンション エルエルシー
原文
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該当なし
2013/02/19
不服
2012 -6246
半導体装置及び半導体装置の製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
下坂 直樹
日本電気株式会社
原文
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該当なし
2013/02/18
不服
2012 -2334
CASレイテンシを利用してロッキングレゾリューション調節が可能な遅延同期ループ回路
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2013/02/18
不服
2011 -26709
半導体装置の信号バスラインレイアウト構造及びその方法
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2013/02/18
不服
2012 -9226
トリプルゲートトランジスタを有する半導体素子
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2013/02/15
不服
2012 -4301
炭化ケイ素MOSFETの製造方法および炭化ケイ素MOSFET
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
独立行政法人産業技術総合研究所
原文
保存
該当なし
2013/02/14
不服
2012 -11833
ヒロック・フリー多層メタル線を有する薄膜構造
本件審判の請求は、成り立たない。
木越 力 その他
トムソン ライセンシング
原文
保存
該当なし
2013/02/12
不服
2011 -26223
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
速水 進治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2013/02/07
不服
2012 -3367
半導体集積回路装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ラピスセミコンダクタ株式会社
原文
保存
該当なし
2013/02/07
不服
2012 -5861
シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造
本件審判の請求は、成り立たない。
安村 高明 その他
クリー インコーポレイテッド ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
原文
保存
該当なし
2013/02/06
不服
2012 -4103
半導体デバイスのゲートのクリティカルディメンションを改善するためのゲート材料のプレーナ化
本件審判の請求は、成り立たない。
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/02/05
不服
2012 -4387
半導体電子デバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
田代 至男
古河電気工業株式会社
原文
保存
該当なし
2013/02/05
不服
2011 -10205
共注入と熱アニールによって特性の改善された薄層を得るための方法
本件審判の請求は、成り立たない。
大浦 裕美 その他
ソワテク
原文
保存
該当なし
2013/02/05
不服
2012 -713
2つのタイプの減結合コンデンサを備えた集積回路および方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/01/25
不服
2012 -797
半導体装置及びその使用乃至製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
星 公弘 その他
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
原文
保存
該当なし
2013/01/21
不服
2011 -26767
へテロ接合トランジスタ及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
特許業務法人浅村特許事務所 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/01/21
不服
2011 -21954
イメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
有原 幸一 その他
インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2013/01/17
不服
2011 -22307
測定で求めた電気的特性に基づいて製造プロセスを制御するための方法および装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
早川 裕司
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/01/16
不服
2012 -4650
炭化珪素トランジスタ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
内野 雅子
独立行政法人産業技術総合研究所
原文
保存
該当なし
2013/01/11
不服
2011 -27797
半導体構造の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
原文
保存
該当なし
2013/01/10
不服
2011 -19961
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2013/01/10
不服
2012 -1937
電界効果トランジスタ及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
河野 直樹 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2013/01/10
不服
2011 -24086
半導体装置構造および半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
ヤマハ株式会社
原文
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該当なし
2013/01/09
不服
2012 -5029
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
トヨタ自動車株式会社
原文
保存
該当なし
2013/01/09
不服
2012 -1675
パワーMOSFET
本件審判の請求は、成り立たない。
碓氷 裕彦 その他
株式会社デンソー
原文
保存
該当なし
2013/01/07
不服
2012 -5547
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2013/01/07
不服
2011 -23027
クロック分配回路の設計方法,設計装置および設計プログラム並びに同プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
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