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現在の検索キーワード：北島健次

1197 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2013/01/04	不服 2011 -26650	低標準偏差の高抵抗値分割ポリｐ抵抗器	本件審判の請求は、成り立たない。	古谷聡その他	フェアチャイルドセミコンダクターコーポレイション	原文	保存
該当なし
2013/01/04	不服 2012 -498	化合物半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/28	不服 2012 -1994	撮像素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	大塚康徳その他	キヤノン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/28	不服 2012 -3788	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/27	不服 2011 -25155	半導体集積回路装置およびその製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。		ルネサスエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/26	不服 2011 -24372	一括リフローで実装された画像センサ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	黒川弘朗その他	インテル・コーポレーション	原文	保存
該当なし
2012/12/25	不服 2011 -957	イオン注入及び側方拡散による炭化シリコンパワーデバイスの自己整列的な製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	大日方和幸その他	クリーインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/12/21	不服 2011 -26792	電荷捕捉型誘電体メモリデバイスにプログラミングを行う方法およびその方法でプログラムされた電荷捕捉型誘電体メモリデバイス	本件審判の請求は、成り立たない。	仲村義平その他	スパンションエルエルシー	原文	保存
該当なし
2012/12/20	不服 2011 -14743	多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法、および多結晶シリコン層を用いる平板表示装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星ディスプレイ株式會社	原文	保存
該当なし
2012/12/20	不服 2012 -5075	コンデンサの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	三上敬史その他	TDK株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/20	不服 2012 -1511	パワー・スイッチの構造および方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	本城雅則	セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー	原文	保存
該当なし
2012/12/20	不服 2012 -2847	半導体装置とその製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。	柿本恭成	ラピスセミコンダクタ宮城株式会社ラピスセミコンダクタ株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/12	不服 2011 -24352	半導体装置の製造方法、及び半導体装置	本件審判の請求は,成り立たない。		次世代半導体材料技術研究組合	原文	保存
該当なし
2012/12/12	不服 2011 -26039	電界効果トランジスタおよび製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		古河電気工業株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/12	不服 2012 -2970	固体撮像装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	天城聡	ルネサスエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/12	不服 2011 -23827	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	荒川伸夫その他	スパンションエルエルシー	原文	保存
該当なし
2012/12/12	不服 2011 -9416	超伝導スイッチング素子	本件審判の請求は、成り立たない。		津久井克幸	原文	保存
該当なし
2012/12/12	不服 2011 -24740	電子装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	勝沼宏仁その他	エヌエックスピービーヴィ	原文	保存
該当なし
2012/12/11	不服 2012 -3999	逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士電機株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/11	不服 2011 -25331	固体撮像素子及びカメラ装置	本件審判の請求は、成り立たない。		ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/11	不服 2012 -4590	電気経路およびメモリセルのフローティングゲートから電荷を消去する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	野田久登その他	スパンションエルエルシー	原文	保存
該当なし
2012/12/11	不服 2011 -26791	半導体装置およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ルネサスエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/07	不服 2011 -24736	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/06	不服 2011 -26370	半導体集積回路	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	河野哲その他	東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2012/12/05	不服 2011 -28289	半導体装置およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	稲岡耕作	ローム株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/03	不服 2010 -21445	垂直トランジスタを有する集積回路構造及び垂直トランジスタを有する半導体デバイスを製造する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	岡部讓その他	アギアシステムズインコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2012/12/03	不服 2011 -24683	記憶素子及びメモリ	本件審判の請求は、成り立たない。		ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/03	不服 2011 -24473	ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアレイ、およびDRAMデバイス	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	星公弘その他	シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト	原文	保存
該当なし
2012/12/03	不服 2011 -27577	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ミツミ電機株式会社	原文	保存
該当なし
2012/11/29	不服 2011 -25616	NANDフラッシュメモリ素子	本件審判の請求は、成り立たない。	上田邦生その他	エスケーハイニックス株式会社	原文	保存
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