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現在の検索キーワード： 北島 健次

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/11/28 不服
2011 -23095  		固体撮像装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/27 不服
2011 -2338  		メモリーデバイスを操作する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2012/11/20 不服
2011 -27094  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/19 不服
2011 -25428  		不揮発性メモリ半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/19 不服
2011 -26487  		電気特性測定装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   国立大学法人東京農工大学   原文 保存
該当なし 　
2012/11/19 不服
2011 -21279  		半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/11/16 不服
2011 -22184  		過剰消去されたセルを復旧させるために、正のゲートストレスを使用したメモリデバイスおよびそのための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/14 不服
2011 -17394  		複合酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 溝部 孝彦 その他   ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.   原文 保存
該当なし 　
2012/11/14 不服
2011 -1383  		RAM及びROM機能を有するトランジスタを含むメモリ素子及びその動作方法並びに製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/14 不服
2011 -25466  		不揮発性メモリデバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2012/11/14 不服
2010 -9596  		ネットワーク接続のスイッチングを用いるエミュレータ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川崎 実夫 その他   メンター・グラフィクス・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/11/13 不服
2009 -9455  		半導体素子 本件審判の請求は,成り立たない。   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/12 不服
2011 -25784  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/09 不服
2011 -21627  		スタガー式ローカル接続構造を持つメモリセルアレイ 本件審判の請求は、成り立たない。 稲葉 良幸 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/07 不服
2010 -27016  		半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/06 不服
2011 -25112  		ダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法及びその接合部を有する金属電極の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/11/01 不服
2010 -10739  		磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 三反崎 泰司   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/11/01 不服
2011 -22860  		半導体装置及び表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/30 不服
2011 -14814  		誘電体蓄積メモリセル(MONOS)およびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/10/30 不服
2011 -11429  		統合又は独立計測を用いる改善されたウェーハ均一性のための処理制御方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦 その他   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/10/30 不服
2011 -20039  		ライン及びビア導体のための異なる材料を有するデュアル・ダマシン相互接続構造体 本件審判の請求は,成り立たない。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/10/29 不服
2011 -18115  		導電膜修正方法、及びTFT基板 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/26 不服
2011 -4410  		漏れ電流を減少させ、単位面積あたりのキャパシタンスを改善した、電界効果トランジスタおよび受動コンデンサを有する半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/10/26 不服
2011 -28248  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/25 不服
2011 -8986  		メモリモジュール及びメモリシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/24 不服
2011 -15251  		ライン型パターンを有する半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/24 不服
2009 -20590  		粉末組成物、軟磁性構成部材及び軟磁性複合体構成部材の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅野 裕一郎 その他   ホガナス アクチボラゲット   原文 保存
該当なし 　
2012/10/23 不服
2011 -19399  		DRAMアクセス・トランジスタ及び形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 牛久 健司 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし 　
2012/10/22 不服
2011 -14816  		ポリ-3,3”-ジアルキル-2,2’:5’,2”-テルチオフェンの電荷運搬材料としての使用 本件審判の請求は、成り立たない。 葛和 清司   メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング シーメンス アーゲー   原文 保存
該当なし 　
2012/10/18 不服
2011 -19076  		集積回路装置及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 竹腰 昇 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　

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