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現在の検索キーワード： 北島 健次

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/10/18 不服
2011 -25281  		半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/18 不服
2011 -19076  		集積回路装置及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒田 泰 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/15 不服
2011 -6726  		強磁性/反強磁性検知要素を備えた磁気抵抗センサー 本件審判の請求は,成り立たない。   エヌテエヌ-エス.エヌ.エール.ルルモン   原文 保存
該当なし 　
2012/10/15 不服
2011 -19413  		SiCの除去法 本件審判の請求は,成り立たない。 竹内 三喜夫 その他   アイメック   原文 保存
該当なし 　
2012/10/12 不服
2012 -4589  		FERAMコンデンサの化学的機械研磨 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 敏史   フェローズ リサーチ ビー.ブイ.,エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/10/10 不服
2011 -22374  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/10 不服
2011 -20915  		ダミーワード線を備えたフラッシュメモリアレイの消去電圧分布の改良方法 本件審判の請求は、成り立たない。 荒川 伸夫 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/10/09 不服
2011 -17162  		半導体素子の素子分離膜形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/03 不服
2011 -20684  		半導体装置のレイアウト方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/03 不服
2011 -5091  		半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/10/02 不服
2011 -21997  		パッシベーション処理されていないレーザ・ヒューズの飛散の低減 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上野 剛史 その他   インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/09/28 不服
2011 -23948  		巨大磁気抵抗センサおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/28 不服
2011 -2074  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -15880  		低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -13606  		加熱源の組み合わせを使用する半導体パルス加熱処理方法 本件審判の請求は,成り立たない。 赤岡 明 その他   マットソン、テクノロジー、インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -1532  		ドーピング源でもあるエッチャントガスを用いてトレンチをエッチングすることで形成されるドープカラムを含む電圧維持領域を有する高電圧電力MOSFET 本件審判の請求は、成り立たない。 幸長 保次郎 その他   ジェネラル・セミコンダクター・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/25 不服
2011 -223  		半導体基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2011 -12974  		半導体電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田代 至男   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2010 -18564  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2011 -8093  		半導体装置とその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2011 -415  		歪み補償半導体構造および歪み補償半導体構造を製作する方法 本件審判の請求は,成り立たない。 清水 邦明 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2011 -593  		高電流薄型インダクタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ヴィシェイ デイル エレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/19 不服
2011 -63  		半導体デバイスで用いられるキャパシタとその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 讓 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/19 不服
2011 -4575  		PCMセルにおける“先溶融”領域の制御方法及びそれにより得た装置 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   エヌエックスピー ビー ヴィ アイメック   原文 保存
該当なし 　
2012/09/18 不服
2011 -28020  		ショットキバリアダイオードおよびエピタキシャル基板 本件審判の請求は、成り立たない。 近藤 伊知良 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/12 不服
2010 -14497  		仮想接地アレイ・不揮発性半導体メモリ装置を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/09/12 不服
2011 -26953  		絶縁ゲート型半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/12 不服
2011 -16490  		半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/09/12 不服
2011 -14942  		半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/11 不服
2011 -22707  		埋め込みゲートを有するMOSゲート装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   フェアーチャイルド セミコンダクター コーポレイション   原文 保存
該当なし 　

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