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堀田 和義
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2010/10/07
不服
2008 -19618
半導体集積回路装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
佐々木 敬 その他
エルピーダメモリ株式会社
原文
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該当なし
2010/09/16
不服
2008 -23555
半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村山 靖彦 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/09/14
不服
2007 -30634
データ入出力ラインの負荷を最小化するカラム選択回路、これを具備する半導体メモリ装置及びこの半導体メモリ装置の配置方法
本件審判の請求は、成り立たない。
村山 靖彦 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/09/14
不服
2007 -32563
非差動電流モード技術を用いたデータパスのための装置および方法
本件審判の請求は、成り立たない。
中村 稔 その他
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
原文
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該当なし
2010/09/07
不服
2007 -19760
選択可能なデータ速度を有する出力データパス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
該当なし
2010/07/28
不服
2007 -24892
クロック同期メモリ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
岡田 雅子 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
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該当なし
2010/06/16
不服
2008 -1108
CASレイテンシを利用してロッキングレゾリューション調節が可能な遅延同期ループ回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
実広 信哉 その他
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2010/06/15
不服
2007 -29351
カラムアドレス線の負荷による誤動作が防止できる半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/04/22
不服
2007 -11288
半導体集積回路
本件審判の請求は、成り立たない。
OKIセミコンダクタ株式会社 株式会社 沖マイクロデザイン
原文
保存
該当なし
2010/03/23
不服
2006 -23898
半導体メモリデバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
該当なし
2010/03/23
不服
2007 -25255
半導体記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2010/02/19
不服
2007 -14497
DRAMおよびそのリフレッシュ方法
本件審判の請求は、成り立たない。
坂口 博 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2010/02/10
不服
2007 -12461
1-TSRAM互換性メモリのための方法及び装置
本件審判の請求は、成り立たない。
モシス・インコーポレイテッド
原文
保存
パリ条約 新規事項の追加
2009/12/08
不服
2007 -18006
レベル変換器を備える行デコーダ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
清水 邦明 その他
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
原文
保存
該当なし
2009/12/01
不服
2007 -5178
半導体メモリ装置及びそのアドレスデコーディング方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/10/30
不服
2007 -6884
リセット動作を高速化したメモリデバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
土井 健二
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2009/08/31
不服
2007 -4403
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
堀井 豊 その他
株式会社ルネサステクノロジ
原文
保存
該当なし
2009/08/26
不服
2006 -20944
メモリ・チップ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
太佐 種一 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2009/08/05
不服
2006 -2627
論理プロセスに組み入れられたDRAM用のチップ上でのワード線電圧発生
本件審判の請求は、成り立たない。
モシス・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2009/07/03
不服
2007 -68
データ読取り/書込み機能を有する半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/04/09
不服
2006 -16465
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリにおいて書込み動作時間を短縮する方法および装置
本件審判の請求は、成り立たない。
坂口 博 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
パリ条約
2009/02/12
不服
2006 -24278
半導体装置の内部電源電圧生成回路の制御方法、半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路の制御方法及び半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
恩田 博宣
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2009/01/08
不服
2006 -5297
ダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エルピーダメモリ株式会社
原文
保存
該当なし
2008/12/18
不服
2006 -8379
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
岩橋 文雄 その他
パナソニック株式会社
原文
保存
該当なし
2008/12/09
不服
2008 -15244
ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力自動リフレッシュ回路および方法
本件審判の請求は、成り立たない。
野村 泰久
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
新規事項の追加
2008/11/12
不服
2006 -306
シングルポートRAM用制御回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
川▲崎▼ 研二
ヤマハ株式会社
原文
保存
該当なし
2008/11/10
不服
2006 -11805
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2008/10/01
不服
2006 -9381
メモリ装置、およびデータ転送方法
本件審判の請求は、成り立たない。
深見 久郎 その他
ミツビシ・セミコンダクター・アメリカ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2008/09/29
不服
2005 -19717
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2008/09/09
不服
2005 -19512
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
杉浦 靖也 その他
松下電器産業株式会社
原文
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該当なし
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