| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2009/11/30
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不服
2006
-21621
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半導体装置及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2009/11/30
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不服
2007
-1279
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2009/11/12
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不服
2006
-26421
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半導体装置、半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2009/11/10
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不服
2008
-27965
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CMPを用いた集積回路内の多層メタライゼーション構造の平坦化の効率的かつ経済的な方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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堀井 豊
その他
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アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2009/11/10
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不服
2006
-25645
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高集積強誘電体メモリ装置及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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村山 靖彦
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2009/11/05
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不服
2008
-23673
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低温で基板のステップカバレージを改良する方法及び装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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大塚 文昭
その他
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アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2009/11/04
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不服
2006
-26746
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ｐ型半導体層活性化方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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杉山 秀雄
その他
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洲磊科技股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2009/11/02
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不服
2007
-4715
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メモリデバイス
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本件審判の請求は、成り立たない。
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林 恒徳
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2009/10/30
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不服
2006
-28384
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熱処理装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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大日本スクリーン製造株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/29
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不服
2007
-7193
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強誘電体メモリ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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中村 誠
その他
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/29
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不服
2006
-22233
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半導体装置の素子分離方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/27
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不服
2006
-22485
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レーザアニーリング方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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田中 光雄
その他
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三菱電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/27
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不服
2006
-22737
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ドーピング処理方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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株式会社半導体エネルギー研究所
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/27
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不服
2009
-12586
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SOIウェーハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/27
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不服
2006
-22677
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シャロウ・トレンチ分離半導体基板及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/27
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不服
2006
-23268
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薄膜半導体の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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伊藤 仁恭
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/26
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不服
2007
-4956
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半導体集積回路および半導体集積回路の内部電源電圧発生方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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古谷 史旺
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/19
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不服
2007
-4464
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不揮発性メモリ・システム内でのプログラミング電圧保護
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本件審判の請求は、成り立たない。
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/19
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不服
2007
-4813
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複合化フラッシュメモリ及びそれを搭載した携帯用機器
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本件審判の請求は、成り立たない。
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株式会社リコー
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/14
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不服
2006
-26032
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素子形成用基板の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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蔵田 昌俊
その他
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2009/10/09
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不服
2007
-221
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集積回路においてトレンチアイソレーション構造を形成する方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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本田 淳
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2009/09/28
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不服
2006
-12069
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ウェーブパイプライン構造の同期式メモリ装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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該当なし
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2009/09/28
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不服
2007
-784
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半導体メモリーのテスト方法およびその装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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株式会社リコー
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原文
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保存
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該当なし
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2009/09/28
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不服
2007
-1303
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電気的に消去およびプログラムが可能なリード・オンリ・メモリの消去およびプログラミング保護方法および装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2009/09/28
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不服
2008
-3237
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第1及び第2のポリシリコン領域のPN接合部に浮遊ゲートを有するメモリ・セル
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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林 鉐三
その他
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テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
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原文
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保存
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パリ条約
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2009/09/25
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不服
2007
-13
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強誘電性キャパシタ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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宇谷 勝幸
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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29条の2(拡大された先願の地位)
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2009/09/25
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不服
2006
-22410
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半導体製造装置用セラミックスヒーター
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本件審判の請求は、成り立たない。
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住友電気工業株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2009/09/25
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不服
2006
-24559
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固体カラーイメージ素子及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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志賀 正武
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2009/09/16
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不服
2008
-15839
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改善されたエレクトロマイグレーション信頼性を伴う集積回路用金属相互接続構造体
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本件審判の請求は、成り立たない。
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矢野 敏雄
その他
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インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
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原文
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保存
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パリ条約
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2009/09/15
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不服
2006
-21769
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半導体装置及びその製造方法並びに電子部品の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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伊奈 達也
その他
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セイコーエプソン株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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