| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2010/09/14
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不服
2008
-2190
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加熱装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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日本写真印刷株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/09/13
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不服
2007
-29196
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薄型コンデンサの製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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北陸電気工業株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/09/10
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不服
2009
-22025
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化合物半導体装置及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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安村 高明
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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国内優先権
進歩性(29条2項)
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2010/09/07
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不服
2009
-20128
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/09/06
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不服
2007
-15661
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T字形のコンタクト電極を有する半導体素子の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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アインゼル・フェリックス=ラインハルト
その他
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ユナイティッド モノリスィック セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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原文
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保存
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パリ条約
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2010/09/01
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不服
2006
-27848
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有機強誘電メモリーセル
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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須田 洋之
その他
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パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/30
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不服
2007
-7455
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半導体デバイスで用いられるキャパシタとその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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加藤 伸晃
その他
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アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
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原文
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保存
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パリ条約
29条の2(拡大された先願の地位)
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2010/08/30
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不服
2007
-26860
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絶縁膜上のシリコン構造を有する半導体素子及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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村山 靖彦
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2010/08/30
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不服
2009
-24169
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半導体装置とその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/24
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不服
2007
-22911
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薄膜トランジスタパネルの製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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石田 敬
その他
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インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/23
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不服
2007
-24571
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磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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吉井 正明
その他
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2010/08/23
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不服
2007
-31029
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工程管理システム及び工程管理方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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亀谷 美明
その他
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/08/23
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不服
2007
-25036
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半導体装置の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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前田 弘
その他
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パナソニック株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2010/08/23
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不服
2007
-30993
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半導体装置およびその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/23
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不服
2007
-30715
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ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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JX日鉱日石金属株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/19
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不服
2007
-29540
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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山本 秀策
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/18
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不服
2007
-34837
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半導体装置及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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伊藤 高順
その他
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株式会社デンソー
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/18
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不服
2007
-13303
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半導体装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/18
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不服
2009
-10451
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電圧吸収エッジを有するｐn接合を含むSiC半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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浅村 肇
その他
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クリー、インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/16
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不服
2007
-6059
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MOSトランジスタの製造方法およびMOSトランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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宮坂 一彦
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セイコーエプソン株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/16
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不服
2007
-14787
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メモリデバイスおよびメモリデバイスを動作させる方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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安村 高明
その他
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インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/12
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不服
2007
-27423
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磁気抵抗効果素子
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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中村 誠
その他
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/06
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不服
2007
-31038
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/03
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不服
2007
-1177
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静電保護回路素子を備える半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
新規事項の追加
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2010/08/03
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不服
2008
-9233
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磁気記憶装置および磁気記憶アレイ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/03
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不服
2007
-18704
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積層型圧電素子とその製造方法およびそれを用いた噴射装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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京セラ株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/08/03
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不服
2007
-23108
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半導体装置の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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速水 進治
その他
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/08/02
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不服
2007
-32194
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半導体装置の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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原田 智雄
その他
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パナソニック株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
新規事項の追加
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2010/07/28
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不服
2007
-21909
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バリア膜製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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石島 茂男
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株式会社アルバック
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原文
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保存
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該当なし
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2010/07/27
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不服
2007
-33022
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半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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新規性
29条1項3号
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