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現在の検索キーワード： 安田 雅彦

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2009/09/28 不服
2006 -14385  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前田 実 その他   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/09/25 不服
2007 -13  		強誘電性キャパシタ 本件審判の請求は,成り立たない。 八田 幹雄 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位) 　
2009/09/25 不服
2007 -29410  		センサおよびセンサの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 杉本 博司 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし 　
2009/09/25 不服
2006 -26508  		半導体装置とその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ヤマハ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/09/25 不服
2006 -24559  		固体カラーイメージ素子及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2009/09/24 不服
2007 -6096  		バイポーラトランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2009/09/16 不服
2008 -15839  		改善されたエレクトロマイグレーション信頼性を伴う集積回路用金属相互接続構造体 本件審判の請求は、成り立たない。 山崎 利臣 その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション   原文 保存
 パリ条約 　
2009/09/15 不服
2006 -23882  		酸化タンタルコンデンサーの形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 石田 純   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/09/14 不服
2006 -17027  		フラッシュメモリの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2009/09/09 不服
2006 -24281  		SiCダミーウエハ 本件審判の請求は、成り立たない。 大久保 操 その他   株式会社アドマップ 三井造船株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/09/09 不服
2006 -13439  		半導体素子および半導体層 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   昭和電工株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/09/07 不服
2006 -19271  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/09/03 不服
2006 -21177  		半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
 新規性  29条1項3号  進歩性(29条2項) 　
2009/09/01 不服
2006 -19610  		ESD保護のためのLOCOS MOS装置及びその形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。 山本 秀策   シャープ株式会社 シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加 　
2009/08/27 不服
2006 -21021  		半導体記憶装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし 　
2009/08/26 不服
2006 -26726  		静電気保護素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約 　
2009/08/26 不服
2006 -22029  		半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/08/24 不服
2007 -3131  		半導体装置の素子分離方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マクロニクス インターナショナル カンパニイ リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2009/08/21 不服
2006 -19282  		多結晶シリコン膜の水素化処理方法および薄膜トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 松尾 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/08/20 不服
2006 -15864  		導体を分離するシリコンナイトライド側壁と上表面層 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅村 肇 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
 パリ条約 　
2009/08/20 不服
2006 -22403  		ダイオード 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
 新規性  29条1項3号 　
2009/08/19 不服
2007 -24186  		有機半導体物質を有する半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ   原文 保存
 パリ条約 　
2009/08/18 不服
2007 -6626  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約 　
2009/08/11 不服
2007 -27388  		絶縁分離型半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 久保 貴則 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2009/08/07 不服
2006 -23371  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 安村 高明 その他   シャープ株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/08/03 不服
2007 -11095  		イオンビーム装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし 　
2009/07/24 不服
2007 -3815  		薄膜トランジスタの作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2009/07/21 不服
2006 -12588  		半導体製造システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿仁屋 節雄 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし 　
2009/07/17 不服
2006 -20491  		半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/07/15 不服
2006 -25852  		薄膜トランジスタパネル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   カシオ計算機株式会社   原文 保存
該当なし 　

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