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安田 雅彦
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2009/07/13
不服
2006 -27918
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
シャープ株式会社
原文
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該当なし
2009/07/09
不服
2008 -14666
高耐圧半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
野田 久登 その他
三菱電機株式会社
原文
保存
該当なし
2009/07/06
不服
2006 -19599
金属-金属容量装置及び作製法
本件審判の請求は、成り立たない。
岡部 正夫 その他
アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
原文
保存
新規事項の追加
2009/06/26
不服
2006 -20685
絶縁領域形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
該当なし
2009/06/26
不服
2006 -5616
半導体製造装置及びウェーハ処理方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社日立国際電気
原文
保存
該当なし
2009/06/26
不服
2006 -14257
配線膜の形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
竹中 芳通
株式会社神戸製鋼所
原文
保存
該当なし
2009/06/24
不服
2006 -18233
ハードレーザマーキングウェーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社SUMCO
原文
保存
該当なし
2009/06/24
不服
2006 -14057
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
聯華電子股▲ふん▼有限公司
原文
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新規事項の追加
2009/06/12
不服
2006 -13120
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
鈴江 武彦 その他
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2009/06/12
不服
2006 -13449
電界効果トランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
本宮 照久 その他
アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
原文
保存
パリ条約
2009/06/10
不服
2006 -13275
低減されたオフセット信号を持つホール・センサ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
マイクロナス・ゲーエムベーハー
原文
保存
パリ条約
2009/06/09
不服
2006 -17397
半導体基板の構造
本件審判の請求は、成り立たない。
OKIセミコンダクタ株式会社 OKIセミコンダクタ宮城株式会社
原文
保存
該当なし
2009/06/09
不服
2006 -20829
シリコン酸化層の形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
八田 幹雄
統寶光電股▲ふん▼有限公司
原文
保存
新規事項の追加
2009/06/02
不服
2006 -4708
熱伝導強化半導体構造およびその製法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
上野 剛史 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
パリ条約
2009/06/02
不服
2006 -13204
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2009/06/01
不服
2006 -13379
MILCを利用した多重ゲート薄膜トランジスタ及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
佐伯 義文 その他
三星モバイルディスプレイ株式會社
原文
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新規事項の追加
2009/05/27
不服
2006 -20239
半導体メモリ装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村山 靖彦 その他
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/05/25
不服
2006 -11930
水素アニール処理方法及びその装置
本件審判の請求は,成り立たない。
株式会社日立国際電気
原文
保存
新規事項の追加
2009/05/19
不服
2006 -23987
結晶性珪素膜の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2009/05/18
不服
2006 -16887
不揮発性半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
鈴江 武彦 その他
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2009/05/18
不服
2006 -12487
半導体装置とその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2009/05/14
不服
2006 -22112
不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
紺野 正幸 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
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パリ条約
2009/05/12
不服
2006 -24164
半導体装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2009/05/08
不服
2006 -12605
垂直トランジスタを製造する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
岡部 正夫 その他
アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
原文
保存
新規事項の追加
2009/04/30
不服
2006 -9103
分子パターン複製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
横田 修孝 その他
大日本印刷株式会社 藤平 正道
原文
保存
該当なし
2009/04/30
不服
2006 -20672
ショットキーバリアダイオードの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士電機デバイステクノロジー株式会社
原文
保存
該当なし
2009/04/22
不服
2006 -14961
半導体装置の製造方法及び半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
シャープ株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2009/04/20
不服
2008 -25508
半導体素子を有し導体トラックが形成されている基板が接着層により結合されている支持本体を有する半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
杉村 憲司 その他
エヌエックスピー ビー ヴィ
原文
保存
パリ条約
2009/04/20
不服
2006 -11848
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
碓氷 裕彦
株式会社デンソー
原文
保存
該当なし
2009/04/15
不服
2006 -18848
薄膜トランジスタ
本件審判の請求は、成り立たない。
魚住 高博 その他
中華映管股▲ふん▼有限公司
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該当なし
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