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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2009/04/02 不服
2006 -4895 
電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 来間 清志 その他   国立大学法人名古屋工業大学 日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/03/30 不服
2006 -7459 
不揮発性半導体メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 横山 照夫   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2009/03/24 不服
2006 -4060 
Ta▲下2▼O▲下5▼誘電体層の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 武川 隆宣 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 パリ条約  
2009/03/24 不服
2006 -10340 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/03/19 不服
2007 -32177 
不揮発性半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/03/11 不服
2006 -12485 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/03/05 不服
2007 -1429 
二重ダマシーン構造およびコンデンサを有する集積回路を製造するためのプロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 越智 隆夫 その他   アギア システムズ ガーディアン コーポレーション   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  パリ条約  
2009/03/05 不服
2006 -7515 
アモルファス膜の結晶化方法および薄膜トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 大塩 竹志 その他   シャープ株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/02/16 不服
2006 -5488 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 永野 大介 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/02/10 不服
2006 -7345 
光電変換装置および放射線読取装置 本件審判の請求は、成り立たない。   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/02/09 不服
2006 -11146 
薄膜デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド   原文 保存
該当なし  
2009/02/09 不服
2006 -11365 
フラッシュメモリセルの構造、その製造方法、及び操作方法 本件審判の請求は、成り立たない。   力晶半導體股▲ふん▼有限公司   原文 保存
 パリ条約  
2009/02/09 不服
2006 -5331 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 筒井 大和   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2009/01/29 不服
2006 -18943 
ポリシリコンエミッタを備えたバイポーラ接合トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/01/26 不服
2006 -1993 
薄膜トランジスタ及びその製造方法、インバータ並びに電子機器 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/01/20 不服
2006 -1446 
SOI基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2009/01/20 不服
2006 -11389 
半導体集積回路の多重ウエル形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/01/15 不服
2006 -7752 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所 シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/26 不服
2007 -3329 
集積回路を製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 堀井 豊 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/12/25 不服
2006 -8174 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 原田 智雄 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/25 不服
2007 -16643 
厚い銅の相互接続を持つLDMOSトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅村 肇 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
 パリ条約  
2008/12/19 不服
2006 -9654 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/12 不服
2007 -11117 
ヒューズバンク装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 琢也 その他   キマンダ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/27 不服
2007 -5274 
耐圧周縁端部構造を備えた半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/26 不服
2007 -14897 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2008/11/25 不服
2005 -22459 
不揮発性メモリ装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/10 不服
2007 -16265 
高周波用の自己アライメント式電界効果トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 奥山 尚一   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規事項の追加  パリ条約  

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