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現在の検索キーワード: 井原 純

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2008/10/16 不服
2005 -16336 
絶縁ゲート型半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 村松 貞男 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2008/10/16 不服
2005 -23889 
レジストパターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置 本件審判の請求は、成り立たない。 上柳 雅誉   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2008/10/07 不服
2005 -21065 
MOS電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2008/09/18 不服
2005 -23642 
メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/18 不服
2006 -3785 
半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。 今江 克実 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/17 不服
2006 -2985 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2008/09/16 不服
2006 -5286 
電界効果型トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2008/09/09 不服
2005 -19512 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 井関 勝守 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/08 不服
2006 -1489 
DRAMキャパシタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ウィンボンド エレクトロニクス コープ   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/09/03 不服
2006 -4109 
半導体メモリ装置の欠陥セル検出装置及びその方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/08/27 不服
2005 -23708 
配線構造の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 永野 大介 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/08/20 不服
2007 -9373 
半導体集積回路装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 徳若 光政   株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ 株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2008/08/18 不服
2006 -1920 
トランジスタとその製造方法、電気光学装置、半導体装置並びに電子機器 本件審判の請求は、成り立たない。 青山 正和 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規事項の追加  
2008/08/18 不服
2006 -1782 
可変ゲート電圧によるメモリの状態センス 本件審判の請求は、成り立たない。 紺野 正幸 その他   インテル・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2008/08/07 不服
2006 -1445 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/07/24 不服
2005 -24887 
ベリファイ機能を備えた不揮発性半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マクロニクス インターナショナル カンパニイ リミテッド   原文 保存
該当なし  
2008/07/24 不服
2005 -17886 
完全閉磁束作用を備える不揮発性磁気抵抗メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インテグレイテッド・マグネトエレクトロニクス・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2008/07/18 不服
2006 -2247 
半導体集積回路装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2008/07/08 不服
2005 -21480 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/07/08 不服
2005 -23418 
タングステン形成プロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 朝日 伸光 その他   エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2008/07/03 不服
2005 -23260 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/06/25 不服
2006 -133 
半導体素子のキャパシタ製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/06/13 不服
2005 -20534 
自己整合的に形成されたシリサイド膜を備えたCMOSイメージセンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松本 公雄 その他   マグナチップセミコンダクター有限会社   原文 保存
 パリ条約  
2008/06/13 不服
2006 -1925 
メモリデバイスおよびメモリアレイ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2008/06/12 訂正
2008 -390047 
半導体記憶装置 特許第3040625号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ…… 澤井 光一 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/06/04 不服
2005 -25325 
熱処理炉用ヒータ 本件審判の請求は、成り立たない。   光洋サーモシステム株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/06/04 不服
2005 -19047 
シンクロナスDRAM 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/05/28 不服
2005 -11912 
シリコンウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2008/05/26 不服
2005 -17424 
エラー許容データのための不揮発性メモリデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 宍戸 嘉一 その他   マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2008/05/26 不服
2007 -82 
高耐圧半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鈴江 武彦 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  

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