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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
1999/12/24 審判
1998 -2763 
薄膜状半導体装置およびその作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
1999/12/24 審判
1998 -338 
相補型MIS半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/24 審判
1997 -6734 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   山形日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/24 審判
1996 -10785 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
1999/12/24 審判
1998 -6738 
半導体集積回路の静電保護装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   日本電気アイシーマイコンシステム株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/24 審判
1998 -10353 
薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
 相違点の判断  国内優先権  
1999/12/22 異議
1999 -70634 
薄膜半導体装置 特許第2791286号の特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
1999/12/22 審判
1998 -7401 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/17 異議
1998 -75867 
半導体不揮発性メモリ 特許第2779623号の請求項1ないし2に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
1999/12/17 審判
1999 -4658 
半導体集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/10 審判
1999 -3002 
CMIS半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   セイコーインスツルメンツ株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/10 審判
1998 -5044 
セミカスタム集積回路装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。 渡邊 弘一   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/10 審判
1997 -20195 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/09 審判
1998 -12754 
固体撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/08 審判
1998 -15100 
薄膜抵抗体の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   株式会社デンソー 芝浦メカトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/08 審判
1998 -5272 
ウエーハ処理方法及び拡散炉 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   国際電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/08 審判
1998 -8566 
半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   大同ほくさん株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/07 審判
1997 -9310 
電界効果トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
 相違点の判断  
1999/12/07 審判
1998 -18331 
薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
 相違点の判断  
1999/12/06 審判
1999 -1281 
静電保護回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/06 審判
1998 -1757 
半導体素子の多層金属配線の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
1999/12/02 審判
1998 -496 
低濃度ドーピングドレインを有するMOS型電界効果トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
1999/12/02 審判
1998 -11050 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
1999/12/02 審判
1998 -1498 
半導体集積回路装置及びその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
1999/11/26 審判
1996 -9746 
半導体メモリ装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/11/22 審判
1997 -12896 
マスク形態画定型集積回路チップ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。 小橋 一男   ザイリンクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
1999/11/19 審判
1997 -11570 
半導体メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 西川 惠清   松下電工株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/11/18 審判
1999 -2978 
半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気アイシーマイコンシステム株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/11/17 異議
1999 -72356 
半導体メモリ装置 特許第2838925号の特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
1999/11/17 異議
1999 -70893 
アクティブマトリクスアレー及びその製造方法と表示装置の製造方法 特許第2797584号の請求項1ないし4に係る特許を取り消す。 岩橋 文雄 その他     原文 保存
該当なし  

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