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現在の検索キーワード: 恩田 和彦

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2021/09/07 不服
2021 -1738 
半導体装置、半導体装置の製造方法、および電力変換装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/07/07 不服
2020 -11783 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/06/28 不服
2020 -11105 
ヘテロ接合電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   オーエムエムイシー   原文 保存
該当なし  
2021/06/16 不服
2020 -2770 
半導体装置および製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 龍華国際特許業務法人   富士電機株式会社 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構   原文 保存
該当なし  
2021/06/09 不服
2020 -14522 
IGBT半導体構造 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 二宮 浩康 その他   3-5 パワー エレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2021/04/28 不服
2020 -9775 
半導体装置、半導体装置の製造方法、電源装置及び増幅器 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/04/07 不服
2020 -8258 
半導体装置及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/03/30 不服
2020 -11739 
高出力素子 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人スズエ国際特許事務所   東芝インフラシステムズ株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2021/03/10 不服
2020 -7996 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 日向寺 雅彦 その他   富士電機株式会社 株式会社東芝 国立研究開発法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2021/01/27 不服
2020 -7139 
ダイオード、およびそれを用いた電力変換装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社 日立パワーデバイス   原文 保存
該当なし  
2020/12/21 不服
2019 -15657 
閾値電圧がマッチングした集積回路およびこれを作製するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 進介 その他   エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2020/12/14 不服
2019 -13402 
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/09/14 不服
2019 -9379 
二重並列チャネル構造を持つ半導体素子及びその半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 達彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/09/01 不服
2019 -8908 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/07/08 不服
2019 -13126 
半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 淑己 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/07/08 不服
2018 -16952 
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ素子及びその作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小倉 博 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2020/05/21 異議
2020 -700017 
半導体装置 特許第6544264号の請求項1ないし7に係る特許を維持する。 堀 城之     原文 保存
該当なし  
2020/03/17 不服
2019 -2907 
III-窒化物トランジスタレイアウト 本件審判の請求は、成り立たない。   日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2020/01/21 不服
2019 -259 
炭化珪素装置および炭化珪素装置の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2019/11/12 不服
2018 -11211 
ヘテロ接合トランジスタに通常は妨げられる注入領域を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ   原文 保存
該当なし  
2019/08/05 不服
2018 -9534 
半導体装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/07/29 不服
2018 -8941 
半導体装置の製造方法及びレジストガラス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐藤 泰和 その他   新電元工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/06/18 不服
2018 -10158 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エア・ウォーター株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/04/16 不服
2018 -3515 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/03/25 不服
2017 -15614 
デュアルメタルの、一部が凹んだ電極を有する、GaN系ショットキーダイオード 本件審判の請求は、成り立たない。   ヴィシャイ ジェネラル セミコンダクター エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2019/03/25 不服
2018 -11393 
半導体装置および半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 酒井 昭徳   富士電機株式会社 国立研究開発法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2018/12/25 不服
2017 -6361 
半導体装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/10/16 不服
2017 -19213 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/10/12 訂正
2018 -390110 
パワー半導体デバイス 特許第6334655号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された…… 青木 篤 その他   聚積科技股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2018/08/06 不服
2017 -14316 
化合物半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  

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