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現在の検索キーワード: 加藤 俊哉

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2021/05/12 不服
2020 -6517 
電気セラミック構成素子、とりわけ多層圧電アクチュエータ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前川 純一 その他   コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2021/02/17 不服
2020 -7917 
抵抗変化素子、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/11/18 不服
2019 -14132 
階段ステップ構造を含む半導体デバイス構造を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青木 宏義 その他   マイクロン テクノロジー,インク.   原文 保存
該当なし  
2020/10/07 不服
2020 -724 
3Dフラッシュメモリ応用のための誘電体金属スタック 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2020/09/30 不服
2019 -14236 
熱電式ボタンを備えた時計 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 山川 茂樹 その他   ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2020/06/17 不服
2019 -12831 
光電変換装置、撮像システムおよび光電変換装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 琢磨   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/06/16 不服
2018 -14186 
スタック型3Dメモリ、およびメモリ製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2020/05/07 不服
2018 -12485 
半導体メモリ素子の製造方法、コンピュータシステム、システム、および、半導体メモリカード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/04/27 不服
2019 -7476 
積層拡散障壁及び関連デバイス及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2020/01/07 不服
2019 -2835 
固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/07/29 不服
2018 -11732 
切り替えコンポーネントおよびメモリユニット 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー,インク.   原文 保存
該当なし  
2019/06/07 不服
2018 -4058 
磁気メモリを製造するための装置及び磁気接合を提供するための方法 本件審判の請求は,成り立たない。 阿部 達彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/05/20 不服
2017 -16667 
歪検出素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2019/04/15 不服
2017 -18583 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 大塚 文昭 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2019/04/09 不服
2017 -15302 
メモリファーストプロセスフロー及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 江口 昭彦 その他   サイプレス セミコンダクター コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2019/03/12 不服
2017 -11174 
リレーデバイスを有するメモリ要素 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 秀策   アルテラ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2019/01/08 不服
2017 -10608 
電子デバイスおよび電子デバイスの接続部の生成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2018/07/31 異議
2017 -701085 
圧電素子および圧電素子の製造方法 特許第6130085号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付さ…… 宮園 博一     原文 保存
該当なし  
2018/04/23 不服
2017 -8807 
半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 上杉 浩 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2018/04/16 不服
2017 -6409 
固体撮像装置、および電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲本 義雄   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/03/19 不服
2017 -6316 
相変化メモリセル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 水村 香穂里   鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ツィンファ ユニバーシティ   原文 保存
該当なし  
2018/03/19 不服
2017 -9552 
固体撮像装置 本件審判の請求は,成り立たない。 稲本 義雄   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/02/14 不服
2016 -14627 
プローバ用チャックおよび検査装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   京セラ株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2017 -886 
CMOS画像センサー内蔵IRアップコンバージョン装置を組み込んだ赤外線撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人北青山インターナショナル   ナノホールディングス,リミテッド ライアビリティー カンパニー ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2016 -18106 
集積回路の異なる階層上の、読取/書込ポートおよびアクセスロジックを有する3Dメモリセル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福原 淑弘 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -1882 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -1666 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/12/18 不服
2017 -8478 
固体撮像装置及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/28 不服
2016 -14193 
スイッチング磁界の改善された分散を伴う磁気ランダムアクセスメモリセル 本件審判の請求は、成り立たない。 清田 栄章 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし  
2017/11/27 不服
2017 -3326 
固体撮像装置およびカメラ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 永川 行光 その他   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  

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