審決検索結果一覧を表示しています。

現在の検索キーワード: 加藤 俊哉

201 件のヒット

  • ポートフォリオ機能
  • 絞り込み検索機能

チェックした審決を…
  ポートフォリオ名を入力して新規に保存 → 

 既存のポートフォリオを選択して保存 → 
絞り込み検索ワード: or or  → 
審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2009/08/10 不服
2007 -4212 
Ni-Cu-Zn系フェライト磁性材料 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東光株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/08/05 不服
2006 -2627 
論理プロセスに組み入れられたDRAM用のチップ上でのワード線電圧発生 本件審判の請求は、成り立たない。   モシス・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2009/07/27 不服
2006 -20200 
DRAMのデータ出力回路 本件審判の請求は,成り立たない。 恩田 誠   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規事項の追加  
2009/07/23 不服
2006 -19434 
改善された読み出しデバイスを有する半導体メモリおよびこれと関連する動作モード 本件審判の請求は,成り立たない。 山本 秀策 その他   インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2009/07/23 不服
2006 -24768 
不揮発性半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/07/21 不服
2007 -4714 
非晶質金属薄帯積層体の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   中川特殊鋼株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/07/16 不服
2006 -23240 
半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中西 英一 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2009/07/16 不服
2006 -12431 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/07/13 不服
2006 -27165 
バンドコイル 本件審判の請求は、成り立たない。   コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ   原文 保存
 パリ条約  
2009/07/10 不服
2006 -17539 
半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 野河 信太郎   シャープ株式会社 舛岡 富士雄   原文 保存
該当なし  
2009/07/09 不服
2007 -1750 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/07/06 不服
2008 -26481 
集積半導体回路 本件審判の請求は,成り立たない。   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
 パリ条約  
2009/07/03 不服
2007 -68 
データ読取り/書込み機能を有する半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/06/29 不服
2006 -28197 
ボンド磁石の製造方法及びボンド磁石を備えた磁気デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一 その他   NECトーキン株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/06/23 不服
2006 -16742 
半導体装置及び半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊丹 勝   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/06/22 不服
2007 -15245 
シングル・エンド転送回路 本件審判の請求は,成り立たない。   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 パリ条約  
2009/06/18 不服
2006 -21241 
ダイナミック型半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 龍 その他   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/06/10 不服
2007 -5822 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鷲頭 光宏   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/06/09 不服
2008 -20949 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/05/21 不服
2006 -27700 
不揮発性半導体メモリのデータ書換方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 恩田 誠   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2009/05/19 不服
2006 -25646 
プログラム及び消去検証機能を有する非揮発性半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/05/14 不服
2006 -25002 
厚膜回路基板の焼成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2009/05/11 不服
2006 -13842 
半導体メモリ装置のピンアサインメント方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/05/08 不服
2006 -22925 
半導体メモリ装置のための電流ミラータイプの感知増幅器 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/05/08 不服
2006 -8684 
不揮発性磁気キャッシュ・メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 本田 淳   エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2009/05/08 不服
2006 -1800 
多数個のメモリバンクを備える半導体メモリ装置のテスト方法及び半導体メモリテスト装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/04/27 不服
2006 -17466 
半導体装置及びその試験方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/04/27 不服
2006 -21996 
集積回路メモリを含むシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/04/20 不服
2006 -15026 
不揮発性半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田村 和彦   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/04/13 不服
2006 -28621 
不揮発性メモリ装置及びその記入方法 本件審判の請求は、成り立たない。 橋本 剛   サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド   原文 保存
 パリ条約  

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ