| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2011/06/22
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不服
2009
-11559
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シリコンウェーハの製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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高橋 詔男
その他
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株式会社SUMCO
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/06/21
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不服
2008
-20251
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/05/24
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不服
2009
-11308
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多結晶シリコン層の製造方法及びこれを利用したスイッチング素子
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本件審判の請求は、成り立たない。
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岡部 正夫
その他
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エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/05/20
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不服
2008
-15157
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導電層に立体形状を与えるための絶縁層を採用する半導体素子の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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志賀 正武
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/22
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不服
2008
-11302
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磁気抵抗ビット構造体およびその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/22
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不服
2008
-1286
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MRAMメモリ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/22
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不服
2008
-15092
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集積回路を製造するための装置および方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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溝部 孝彦
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ヒューレット・パッカード・カンパニー
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/04/06
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不服
2008
-24218
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多層拡張ドレイン構造を有する高電圧ラテラルトランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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中村 稔
その他
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パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/05
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不服
2008
-24222
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多層拡張ドレイン構造を有する高電圧トランジスタを作製する方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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西島 孝喜
その他
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パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/05
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不服
2009
-6238
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レーザーアニーリング装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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安村 高明
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/04/05
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不服
2008
-20920
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絶縁ゲート型半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/03/31
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不服
2007
-25476
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広いバンドギャップの半導体におけるパワー・デバイス
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本件審判の請求は,成り立たない。
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社本 一夫
その他
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ジェームズ・アルバート・クーパー,ジュニア
ジャン・スピッツ
マイケル・アール・メロチ
ジャヤラマ・シェノイ
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/03/23
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不服
2008
-24221
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多層拡張ドレイン構造を有する高電圧ラテラルトランジスタ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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西島 孝喜
その他
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パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/03/22
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無効
2010
-800144
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擬周期系列を用いた通信方式
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本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担……
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田中 昌利
その他
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インテルコーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/03/22
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不服
2008
-23613
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半導体素子のトランジスタ形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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荒船 博司
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/03/17
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不服
2007
-31200
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不揮発性フラッシュメモリ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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旺宏電子股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/03/09
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不服
2008
-7354
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不揮発性メモリセルの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/25
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不服
2008
-5093
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高周波制御されるSCRタイプのスイッチ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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エステーミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/23
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不服
2007
-22500
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半導体デバイスの製造方法。
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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越智 隆夫
その他
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アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/22
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不服
2007
-24206
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半導体素子のコンタクトプラグ形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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渡邊 隆
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-1244
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CMOSデバイスおよびその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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太佐 種一
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/02/17
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不服
2007
-23453
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集積回路のプロファイルベースのシミュレーション情報の作成方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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青木 篤
その他
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ティンバー テクノロジーズ,インコーポレイティド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-16642
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半導体装置製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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熊倉 禎男
その他
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アナム セミコンダクター リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/15
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不服
2008
-21843
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半導体集積回路装置およびその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/02/14
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不服
2008
-18301
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強誘電体又はエレクトレットメモリ回路
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本件審判の請求は、成り立たない。
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浅村 皓
その他
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シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/14
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不服
2008
-17631
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半導体メモリ装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/09
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不服
2009
-120
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SiCの電界制御型半導体デバイスおよびその生産方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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浅村 皓
その他
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クリー、インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/04
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不服
2008
-28396
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半導体ウエハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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酒井 昭徳
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信越半導体株式会社
富士電機ホールディングス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/31
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不服
2008
-16482
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薄膜トランジスタ基板と液晶表示装置および薄膜トランジスタ基板の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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小林 義教
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エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/01/31
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不服
2008
-15897
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低CGDの有益性を有する改良型CMOS、改良したドーピングプロファイル、及び化学的処理に対する非鋭敏性のための注入の側壁プロセス及び方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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林 鉐三
その他
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テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
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原文
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保存
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パリ条約
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