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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2009/03/19 不服
2005 -8770 
高電圧型半導体構成素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 矢野 敏雄 その他   インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2009/03/19 不服
2007 -32177 
不揮発性半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/03/18 不服
2008 -24142 
スタックトゲートエッジを保護するための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
 パリ条約  
2009/03/02 不服
2007 -21754 
二重層を有する半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 村松 貞男 その他   ミクロナス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2009/01/19 不服
2007 -20533 
半導体メモリデバイス及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
 パリ条約  
2008/10/31 不服
2006 -3129 
薄膜二端子素子及び液晶表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/10/20 不服
2006 -3566 
データ記憶及び処理装置を製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 清水 邦明 その他   シン フィルム エレクトロニクス エイエスエイ   原文 保存
 パリ条約  
2008/10/07 不服
2005 -21065 
MOS電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2008/09/29 不服
2006 -2291 
バイポーラトランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 和泉 良彦   日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/18 不服
2005 -24689 
化合物半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ユーディナデバイス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/08 不服
2005 -21965 
半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 越智 隆夫 その他   ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2008/07/29 不服
2007 -14042 
マイクロメカニズム構造体を形成する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 アインゼル・フェリックス=ラインハルト   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2008/07/14 不服
2006 -4156 
ポリサイドゲート電極及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/06/13 不服
2006 -1925 
メモリデバイスおよびメモリアレイ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2008/06/11 不服
2006 -3627 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/03/04 不服
2006 -4487 
マイクロメカニカル構成素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 ラインハルト・アインゼル その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2008/02/06 不服
2005 -8496 
高いパッケージング密度を有する電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 久野 琢也 その他   インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
 パリ条約  
2007/10/30 不服
2005 -9151 
高周波トランジスタおよびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2007/09/19 不服
2005 -15993 
バイポーラトランジスタ・プロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 古谷 聡   ナショナル セミコンダクタ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2007/07/12 不服
2003 -2207 
静電気放電保護回路及び静電気放電保護回路を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2007/06/25 不服
2005 -16657 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
 引用発明の認定  
2007/03/29 不服
2005 -9009 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/03/27 不服
2005 -5682 
半導体集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 掛樋 悠路 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/03/12 不服
2005 -2906 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 ▲角▼谷 浩   三洋電機株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2007/02/05 不服
2003 -13637 
空乏ポリシリコン・エッジ型MOSFET構造及び方法 本件審判の請求は、成り立たない。 坂口 博 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 新規事項の追加  
2006/11/29 不服
2005 -18058 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/06/22 不服
2003 -16999 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野田 久登 その他   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2006/06/06 不服
2004 -16759 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/04/11 不服
2003 -14061 
高耐圧型半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/01/12 不服
2002 -19672 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  

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