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現在の検索キーワード: 宇多川 勉

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2021/10/20 不服
2021 -607 
処理装置をモニタするための方法及びシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 江口 昭彦 その他   エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.   原文 保存
該当なし  
2021/10/06 不服
2021 -5451 
サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/09/07 不服
2021 -3429 
低誘電率かつ低湿式エッチング速度の誘電体薄膜を堆積させるための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2021/06/09 不服
2020 -7023 
熱処理装置 本件審判の請求は,成り立たない。   光洋サーモシステム株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/03/18 不服
2020 -9669 
ワイドギャップ半導体基板、ワイドギャップ半導体基板の製造装置、およびワイドギャップ半導体基板の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   SPPテクノロジーズ株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/01/20 不服
2020 -6296 
貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 俊弘   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/01/20 不服
2020 -8365 
基板処理装置、気化システム及びミストフィルタ並びに半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社KOKUSAI ELECTRIC   原文 保存
該当なし  
2021/01/05 不服
2020 -181 
多結晶シリコンCVDダイヤモンドを含む化合物半導体デバイス構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   アールエフエイチアイシー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2020/12/15 不服
2020 -4055 
多結晶シリコンCVDダイヤモンドを含む化合物半導体デバイス構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   アールエフエイチアイシー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2020/11/24 不服
2019 -16201 
ドライエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   セントラル硝子株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/10/19 不服
2019 -11955 
シード層上に成長層を施す方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前川 純一 その他   エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし  
2020/10/05 異議
2020 -700461 
半導体製造用部品、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品及びその製造方法 特許第6630025号の請求項1ないし15に係る特許を維持する。 河野 英仁 その他     原文 保存
該当なし  
2020/08/12 不服
2019 -14704 
基板処理装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社KOKUSAI ELECTRIC   原文 保存
該当なし  
2020/07/08 不服
2019 -8259 
半導体ウエハをプラズマ・ダイシングするための方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。   プラズマ - サーム、エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2020/06/16 不服
2019 -9337 
半導体膜、及びそれを用いた半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青木 宏義 その他   旭化成株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/05/28 不服
2019 -2829 
窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インテグリス・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2020/05/07 不服
2019 -8119 
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山口 雄輔 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2020/03/24 不服
2019 -3173 
半導体処理チャンバーのための銀リフレクタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/12/24 不服
2019 -952 
電界効果トランジスタを用いたテラヘルツ検出器 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 本田 淳 その他   ユニスト(ウルサン ナショナル インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー)   原文 保存
該当なし  
2019/08/20 不服
2018 -10126 
炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/07/29 不服
2018 -14468 
有機半導体膜及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パイクリスタル株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/04/22 不服
2017 -12453 
データ保持フローティングゲートキャパシタを備えるシリサイド化集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/04/15 不服
2018 -3272 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 伸一郎 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2019/04/01 不服
2018 -11590 
窒化物系電界効果トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 高橋 英樹 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/01/28 不服
2017 -13467 
モノリシック3次元(3D)集積回路(IC)(3DIC)技術を使用した完全システムオンチップ(SOC) 本件審判の請求は、成り立たない。 蔵田 昌俊 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/11/15 不服
2018 -1315 
最外フィンの外側表面上のエピタキシャル成長バリアを含むマルチフィンFINFET装置及び関連方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/10/15 不服
2017 -5258 
集積回路のトランジスタ構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2018/05/21 不服
2016 -11940 
MOSFETのフリッカーノイズを低減するためのモジュール手法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉 その他   アナログ ディヴァイスィズ インク   原文 保存
該当なし  
2018/03/26 不服
2017 -11199 
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 上杉 浩 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2017/12/13 不服
2016 -59 
集積スマートパワースイッチ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 泰 その他   レイセオン カンパニー   原文 保存
該当なし  

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