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現在の検索キーワード: 宮崎 園子

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2001/07/10 審判
1999 -16617 
薄膜半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/06/29 異議
2000 -73893 
ドライエッチング方法 特許第3033128号の請求項1に係る特許を維持する。 田村 榮一 その他     原文 保存
該当なし  
2001/06/26 不服
2000 -6252 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/06/26 不服
2000 -6251 
多結晶シリコン薄膜の特性改善方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/06/20 不服
2000 -1338 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 富士弥   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/06/05 異議
2001 -70625 
シリコンウェーハの製造方法 特許第3080501号の請求項1に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
2001/06/01 不服
2000 -6736 
多結晶シリコン薄膜の特性改善方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/05/24 異議
2000 -73344 
表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法 訂正を認める。 特許第3015261号の請求項1に係る特許を維持する。 小倉 亘     原文 保存
該当なし  
2001/05/21 審判
1999 -6277 
プラズマ酸化膜処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/04/16 審判
1999 -15218 
半導体基板の表面に非平面構造を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスジーエス トムソン マイクロエレクトロニクス インク.   原文 保存
該当なし  
2001/03/14 審判
1999 -14457 
アニール方法およびアニール装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/03/07 審判
1999 -15947 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2001/02/28 審判
1999 -13617 
半導体デバイス用シリコン基板の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 池条 重信 その他   住友金属工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/02/14 訂正
2000 -39163 
薄膜トランジスタの製造方法 特許第2659000号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正…… 佐藤 公博 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/02/06 審判
1999 -16624 
薄膜半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/02/02 審判
1999 -20739 
SOI基板およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/01/29 審判
1999 -14105 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2000/12/28 審判
1999 -7190 
ドライエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2000/12/26 審判
1999 -10274 
半導体基板の処理方法及び半導体の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 橋本 剛   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/12/25 審判
1999 -20755 
半導体基板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/12/11 審判
1999 -17072 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2000/11/15 審判
1999 -1313 
半導体基板及び半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/11/07 審判
1999 -9518 
半導体装置用基板製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 松下 正 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/10/03 審判
1999 -7156 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2000/09/28 審判
1999 -8219 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小池 隆彌   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/09/26 異議
1998 -76175 
シリコンウェハの処理方法 特許第2770091号の請求項1に係る特許を取り消す。 同請求項2ない…… 木下 茂 その他     原文 保存
該当なし  
2000/09/25 審判
1999 -1593 
アニール方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/29 審判
1999 -18790 
半導体装置の製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/23 異議
1999 -73678 
半導体装置 特許第2876866号の請求項1ないし6に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
2000/08/14 異議
1998 -75614 
化合物半導体の成長方法 特許第2753009号の特許を取り消す。 小池 隆彌     原文 保存
該当なし  

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