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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2010/10/04 不服
2007 -17619 
プリント基板の埋め込み式薄膜抵抗の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 白石 光男 その他   欣強科技股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2010/09/30 不服
2008 -2986 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/09/29 不服
2008 -5725 
希土類永久磁石の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立金属株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/29 不服
2007 -23863 
非水系電子部品用電極部材 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西下 正石 その他   株式会社パワーシステム   原文 保存
該当なし  
2010/09/29 不服
2008 -22112 
ウェーブパイプラインスキムを備える同期型半導体メモリ装置及びそれのデータパス制御方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/28 不服
2007 -33292 
半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/27 不服
2010 -345 
不揮発性メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/21 不服
2008 -8170 
半導体基板及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 杉浦 靖也 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/16 不服
2008 -23555 
半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/07 不服
2008 -1149 
データ損失の事前検出付きフラッシュメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 増井 忠弐 その他   ディアローク・セミコンダクター・ゲーエムベーハー   原文 保存
該当なし  
2010/09/07 不服
2007 -30101 
半導体装置、同期式半導体メモリ装置及び同期式半導体メモリ装置のエラーチェック及び訂正方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/06 不服
2007 -19196 
クワッドデータレートシンクロナス半導体メモリ装置の駆動方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2010/09/01 不服
2008 -16371 
半導体メモリ装置のデータ入力回路及びデータ入力方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/30 不服
2007 -15574 
CMOS素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2010/08/30 不服
2008 -3511 
変圧器と配電装置 本件審判の請求は,成り立たない。 吉岡 宏嗣   株式会社日立産機システム 株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2010/08/30 不服
2007 -21580 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2010/08/23 不服
2007 -23481 
基板熱管理の方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大貫 敏史 その他   エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ.   原文 保存
該当なし  
2010/08/23 不服
2007 -30683 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 光雄 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/23 不服
2008 -6941 
半導体集積回路、メモリモジュール、記憶媒体、及び半導体集積回路の救済方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/17 不服
2007 -19260 
表面実装型のリセット可能な過電流保護デバイスの構造およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 山本 秀策 その他   佳邦科技股▲分▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2010/08/09 不服
2007 -7769 
金属化プラスチックフィルムコンデンサの外部電極用無鉛合金 本件審判の請求は、成り立たない。 丹羽 宏之   株式会社三浦合金工業所   原文 保存
該当なし  
2010/08/04 不服
2007 -23955 
電力伝達装置のコア体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉山 毅至   ニッタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/02 不服
2008 -24490 
半導体記憶装置及びそのテスト方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鷲頭 光宏   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/07/23 不服
2007 -31790 
データ圧縮を備えたメモリ・テスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 千葉 昭男 その他   テラダイン・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2010/07/15 不服
2007 -24187 
不揮発性強誘電体メモリ制御装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 荒船 博司   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2010/07/14 不服
2008 -11062 
メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 森下 夏樹 その他   パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2010/07/14 不服
2007 -17231 
磁気異方性焼結フェライト磁石の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   有限会社エム・エス・コンサルティング   原文 保存
該当なし  
2010/07/14 不服
2008 -5234 
狭い間隔のアドレス変化を検出することが可能な半導体メモリのアドレス変換検出回路 本件審判の請求は、成り立たない。 小川 信夫 その他   マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2010/07/09 不服
2007 -21439 
電気二重層キャパシタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   UDトラックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/07/09 不服
2007 -18444 
半導体記憶回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 橘谷 英俊 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  

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