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現在の検索キーワード: 高野 芳徳

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/08/31 不服
2011 -6301 
可変抵抗特性を有するメモリ装置の制御 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 堀井 豊 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/31 不服
2011 -16236 
プログラミングメモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2012/07/03 不服
2011 -13013 
半導体不揮発記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2012/06/14 不服
2010 -10566 
メモリを読み出すためのビット特定基準レベルの使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 進介 その他   オヴォニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/05/23 不服
2011 -3845 
不揮発性強誘電体レジスタを利用した入出力バイト制御装置 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷 照一 その他   ハイニックス セミコンダクター インク   原文 保存
該当なし  
2012/04/24 不服
2010 -28609 
半導体素子の高電圧スイッチ回路 本件審判の請求は、成り立たない。 川上 美紀 その他   ハイニックス セミコンダクター インク   原文 保存
該当なし  
2012/03/30 不服
2010 -5526 
不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路並びにその駆動方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山川 茂樹 その他   ハイニックス セミコンダクター インク   原文 保存
該当なし  
2012/02/06 不服
2010 -25140 
半導体メモリでのデータリード回路及びデータリード方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/27 不服
2010 -18491 
トランジスタを用いないランダムアクセスメモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 秀佳 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2012/01/18 不服
2010 -11300 
リセットセル閾値デバイスをトリガすることなく相変化メモリを読み出す方法 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠重 その他   オヴォニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/09/13 不服
2010 -13283 
半導体メモリ素子の高電圧発生器用高電圧チャージポンプ回路 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  
2011/08/16 不服
2010 -11204 
アドレス信号によって動作モードを設定するメモリシステム及び方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2011/07/29 不服
2009 -18084 
非揮発性強誘電体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 神谷 牧   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/06/07 不服
2009 -7382 
高速強誘電体メモリ装置及びそれの書き込み方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/06/06 不服
2010 -9498 
複合化フラッシュメモリ及びそれを搭載した携帯用機器 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社リコー   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/04/11 不服
2008 -31071 
強誘電体メモリへの過剰駆動アクセス方法と強誘電体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/03/18 不服
2010 -22123 
不揮発性メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西山 清春 その他   ソリッド ステート ストレージ ソリューションズ エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2011/03/18 不服
2010 -22124 
不揮発性メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 古谷 聡 その他   ソリッド ステート ストレージ ソリューションズ エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2011/02/02 不服
2008 -12407 
強誘電体又はエレクトレット・メモリ・デバイスを作動する方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅村 肇 その他   シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ   原文 保存
該当なし  
2011/01/18 不服
2008 -9320 
コンプリメンタリ・ビットPCRAMセンス増幅器及びその動作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2010/11/16 不服
2008 -21102 
不揮発性強誘電体メモリ装置及びそれを用いたマルチビットデータの読出し方法 本件審判の請求は、成り立たない。 山川 茂樹 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2010/10/14 不服
2008 -32237 
フラッシュメモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 実施可能要件  
2010/09/27 不服
2007 -21063 
メモリセルアレイを動作させる方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森下 夏樹 その他   インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2010/09/27 不服
2008 -9863 
プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2010/09/14 不服
2008 -11591 
不揮発性半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/08/02 不服
2008 -13609 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊丹 勝   株式会社東芝   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/07/14 不服
2008 -11062 
メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 山本 秀策 その他   パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2010/05/31 不服
2007 -25288 
半導体メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鈴木 伸夫   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/05/12 不服
2007 -22643 
不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法、製造方法、半導体集積回路及びシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/04/28 不服
2007 -30269 
メモリ回路用の電圧トランスレータ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅村 肇 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
該当なし  

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