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現在の検索キーワード： 今井 淳一

576 件のヒット

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2015/03/27 不服
2014 -9704  		基板の熱処理装置及び熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   光洋サーモシステム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2015/03/18 不服
2013 -21922  		可変処理ガス分布マスクエッチングプラズマリアクタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2015/01/28 不服
2013 -12916  		シリコン構造体の製造及びプロファイル制御を伴うシリコンディープエッチング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2014/12/08 不服
2014 -3619  		プラズマエッチング方法 本件審判の請求は,成り立たない。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/12/02 不服
2013 -10937  		低蒸気圧ガスを送るためのベポライザー 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小野 暁子   ラサーク   原文 保存
該当なし 　
2014/11/14 不服
2013 -24271  		チャンバー部品を介してプロセス流体を導入する方法及びシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/11/10 不服
2013 -13616  		プラズマ処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/10/16 不服
2013 -18064  		半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2014/08/27 不服
2013 -10953  		半導体装置の製造方法及び基板処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿仁屋 節雄 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし 　
2014/08/07 不服
2013 -4329  		多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための化学気相成長法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青木 篤 その他   エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2014/08/07 不服
2013 -10599  		成膜装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/07/04 不服
2013 -22734  		プラズマエッチング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野河 信久 その他   芝浦メカトロニクス株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2014/06/10 不服
2013 -14961  		半導体バッファ構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.   原文 保存
該当なし 　
2014/05/22 不服
2013 -5057  		基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中島 淳 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし 　
2014/04/15 不服
2013 -15206  		被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2014/04/08 不服
2013 -23894  		気化器 本件審判の請求は、成り立たない。 福森 久夫   都田 昌之 株式会社渡辺商行   原文 保存
該当なし 　
2014/02/12 不服
2013 -13340  		超高アスペクト比の誘電体パルスエッチング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2014/01/17 不服
2012 -19948  		半導体基板を均一にエッチングするためのガス噴射 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 康弘 その他   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2014/01/10 不服
2013 -7105  		エッチング中のラインエンドショートニングの低減 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2013/12/26 不服
2013 -762  		ベベル洗浄装置及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2013/11/21 不服
2013 -2264  		誘電薄膜組成物、これを用いた金属酸化物誘電薄膜およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/11/05 不服
2012 -14609  		原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 森下 梓 その他   ザ・ビーオーシー・グループ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/10/08 不服
2012 -21859  		低誘電率膜のアッシング/ウエットエッチング損傷抵抗と組込み安定性を改善する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 園田 吉隆   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/10/07 不服
2012 -24458  		高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 有田 貴弘   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/10/03 不服
2011 -12215  		一体型計測を使用して誘電体エッチング効率を改善する方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/10/01 不服
2012 -23391  		DCバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2013/09/26 不服
2013 -399  		線形的誘電特性を示す誘電体薄膜組成物 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   コリア・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー   原文 保存
該当なし 　
2013/08/13 不服
2012 -21134  		プロセスチャンバのためのガス注入器および光アクセスのための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2013/07/09 不服
2012 -15570  		単分子層堆積方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重 その他   東京エレクトロン株式会社 ト-キョ-・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/06/28 不服
2012 -25948  		複数の容量および誘導プラズマ源を備えたプラズマ処理リアクタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　

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