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現在の検索キーワード：今井淳一

576 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2012/07/23	不服 2011 -17444	有機ケイ酸塩ガラスについての一酸化二窒素剥脱方法	本件審判の請求は、成り立たない。	小野新次郎その他	ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2012/07/11	不服 2010 -20021	フィルム除去方法およびフィルム除去装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	渡邊隆	財団法人工業技術研究院	原文	保存
該当なし
2012/06/27	不服 2011 -17064	AlN半導体の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	中村智廣その他	日本軽金属株式会社国立大学法人東京農工大学	原文	保存
該当なし
2012/06/15	不服 2011 -8112	プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/05/21	不服 2010 -18216	プラズマエッチングリアクタ用の加熱ジャケットおよび加熱ジャケットを使用するエッチング法	本件審判の請求は、成り立たない。		ティーガルコーポレイション	原文	保存
該当なし
2012/05/07	不服 2011 -3317	環状シロキサン化合物、Si含有膜形成材料、およびその用途	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東ソー株式会社	原文	保存
該当なし
2012/05/07	不服 2010 -12869	イオンビーム抽出装置	本件審判の請求は、成り立たない。	渡邊隆その他	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/04/25	不服 2011 -4641	基体上の誘電体層とその作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	朝日伸光その他	アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2012/04/23	不服 2010 -13888	超高品質シリコン含有化合物層の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エーエスエムアメリカインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/04/05	不服 2011 -10640	プラズマリアクターにおけるダイヤモンドがコーティングされたパーツ	本件審判の請求は、成り立たない。	須田洋之その他	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/03/30	不服 2010 -17288	誘導結合プラズマのプラズマ分布および性能を改善する装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	吉田裕その他	トーキョーエレクトロンユーエスホールディングス、インコーポレイテッド東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/03/21	不服 2010 -21125	エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/03/19	不服 2011 -15836	シリコンウェハのプラズマ処理方法	本件審判の請求は、成り立たない。	内藤浩樹その他	パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2012/03/16	不服 2011 -441	基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/03/05	不服 2011 -15182	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社日立国際電気	原文	保存
該当なし
2012/02/21	不服 2010 -16060	ウェーハアーク放電を低減する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2012/02/13	不服 2009 -25285	IN-SITU測定及びフィルム厚さと溝深さとのコントロールのためのシステムと方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	薬丸誠一その他	ヴェリティーインストルメンツ,インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/02/01	不服 2010 -11835	任意ガススイッチング法を用いた高アスペクト比/深いエッチングの側壁平滑化	本件審判の請求は、成り立たない。	安藤克則その他	ウナクシスユーエスエイ、インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/01/31	不服 2010 -12235	交互の付着およびエッチングおよび有パルスプラズマを使用する高縦横比SOI構造のノッチ無しエッチング	本件審判の請求は、成り立たない。	安藤克則その他	ウナクシスユーエスエイ、インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/12/19	不服 2010 -9690	窒化シリコン膜のドライエッチング方法および薄膜トランジスタの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		カシオ計算機株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/07	不服 2010 -14952	生産性を向上するプラズマ反応器用溶射イットリア含有被膜	本件審判の請求は、成り立たない。	大塚康弘その他	ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2011/11/07	不服 2009 -19413	気化・堆積装置および方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	戸津洋介その他	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
パリ条約
2011/11/04	不服 2011 -7398	低誘電率の多孔質有機シリカガラス膜を得るための化学蒸着方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	蛯谷厚志その他	エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド	原文	保存
パリ条約
2011/11/01	不服 2010 -9264	化学気相成長反応装置	本件審判の請求は、成り立たない。		ブリッジラックスインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/10/19	不服 2010 -16134	水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	曾我道治その他	ダウ・コーニング・コーポレイション	原文	保存
該当なし
2011/10/04	不服 2009 -17642	反応性イオンエッチング方法および反応性イオンエッチング装置	本件審判の請求は、成り立たない。		独立行政法人産業技術総合研究所	原文	保存
該当なし
2011/09/20	不服 2010 -9175	マスクを利用した金属膜エッチング方法、半導体素子の配線形成方法、金属膜エッチング方法及びエッチングガス	本件審判の請求は、成り立たない。	実広信哉その他	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2011/09/20	不服 2010 -15453	改善された機械的性質を有する絶縁膜組成	本件審判の請求は、成り立たない。	幸長保次郎その他	サムスンコーニング精密素材株式会社	原文	保存
パリ条約
2011/09/01	不服 2010 -10988	容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/09/01	不服 2010 -4971	半導体処理プラズマ反応器用の多部品電極および多部品電極の一部を取り換える方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	木村秀二その他	ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
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