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現在の検索キーワード： 今井 淳一

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2008/11/20 不服
2006 -25193  		半導体装置のエッチングマスク形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約 　
2008/09/16 不服
2006 -8134  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   カシオ計算機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/09/01 不服
2006 -8098  		半導体基板表面の酸化膜形成方法および半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷川 文廣   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし 　
2008/04/21 不服
2005 -20783  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/03/13 不服
2006 -26777  		発生させたプラズマ間の容量電流における位相部と逆位相部が平衡する誘導構造によって励起される高周波プラズマ処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立国際電気   原文 保存
 パリ条約 　
2008/01/07 不服
2006 -11680  		ドライエッチング方法 本件審判の請求は、成り立たない。 今江 克実 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/12/10 不服
2006 -18457  		IC用絶縁膜の作成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   サムコ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/11/27 不服
2005 -23893  		低リーク電流および低分極疲労を有する電子デバイスを製造するためのUV照射プロセス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 竹内 祐二 その他   シメトリックス・コーポレーション 松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/10/12 不服
2005 -20550  		チャンバー内壁保護部材 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 赤塚 賢次 その他   東京エレクトロン株式会社 東海カーボン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/09/11 不服
2004 -11403  		半導体基板上の構造物を選択的にプラズマエッチングするための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 増井 忠弐 その他   マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2007/09/10 不服
2005 -24297  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 永野 大介 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/09/03 不服
2005 -21659  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 田中 達也 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/08/15 不服
2005 -15883  		エッチング処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立ハイテクノロジーズ   原文 保存
該当なし 　
2007/08/14 不服
2005 -6918  		集積回路を非導電的に相互接続する方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 文昭 その他   サン・マイクロシステムズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2007/07/11 不服
2006 -161  		容量結合低減のためのフローティングコイルアンテナを有する誘導結合RFプラズマリアクタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷川 芳樹   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2007/02/01 不服
2005 -21136  		ヒートシンク 本件審判の請求は、成り立たない。   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/01/22 不服
2004 -9411  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前田 弘 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/01/15 不服
2004 -18673  		プラズマ処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/01/15 不服
2005 -17348  		半導体装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/01/05 不服
2003 -15843  		Siの高速エッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 秀策 その他   シャープ株式会社 森 勇蔵   原文 保存
該当なし 　
2006/12/28 不服
2005 -19907  		チップオンチップ用の半導体チップ 本件審判の請求は、成り立たない。 稲岡 耕作   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/12/13 不服
2004 -7418  		プラズマ密度情報測定方法及びその装置、並びにプラズマ処理方法及びその装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉谷 勉   国立大学法人名古屋大学 株式会社ニッシン   原文 保存
該当なし 　
2006/12/11 不服
2004 -6382  		半導体製造装置用のガス供給装置及びガス供給方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉本 丈夫   東京エレクトロン株式会社 株式会社フジキン   原文 保存
該当なし 　
2006/12/01 不服
2003 -23309  		金属膜のエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒瀬 雅志 その他   株式会社東芝 芝浦メカトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/11/24 不服
2003 -22771  		未ドープ二酸化ケイ素に対して選択的に高密度プラズマエッチング器でドープ二酸化ケイ素をエッチングする方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 社本 一夫 その他   マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし 　
2006/11/16 不服
2004 -20231  		半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立ハイテクノロジーズ   原文 保存
該当なし 　
2006/11/13 不服
2004 -4793  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/11/09 不服
2004 -5027  		ドライエッチング装置 本件審判の請求は、成り立たない。 鈴木 弘一   沖電気工業株式会社 宮崎沖電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/11/02 不服
2004 -13805  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山形 洋一   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/11/02 不服
2003 -4719  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし 　

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