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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2000/09/28 審判
1998 -18936 
MIS型半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/09/22 審判
1999 -2644 
半導体装置における微細電極の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2000/09/14 審判
1999 -15483 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/09/07 審判
1999 -7825 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/09/07 審判
1999 -18631 
電界効果トランジスタおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/15 訂正
2000 -39061 
半導体デバイス 特許第2810874号発明の明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ…… 林 鉐三 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド   原文 保存
 分割出願(出願分割)  
2000/08/14 審判
1998 -16782 
酸化膜の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   大見 忠弘   原文 保存
該当なし  
2000/08/14 審判
1999 -10110 
半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルジー セミコン カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2000/08/14 審判
1999 -4326 
ホウ素拡散を行うMOSデバイス製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2000/08/11 審判
1999 -4964 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/09 審判
1999 -12402 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 吉田 茂明 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/07 異議
1999 -74173 
半導体装置の製造方法 訂正を認める。 特許第2906499号の請求項1に係る特許を維持する。 福田 修一 その他     原文 保存
該当なし  
2000/08/07 審判
1999 -17561 
MOSトランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。   三菱電機株式会社   原文 保存
 分割出願(出願分割)  
2000/07/31 審判
1999 -8291 
外部燃焼酸化装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/07/24 審判
1999 -5819 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
 相違点の判断  
2000/07/13 審判
1998 -5259 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/07/06 審判
1999 -9593 
半導体メモリ素子のポリシリコンゲートとその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/07/05 審判
1999 -9597 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/19 審判
1998 -17576 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/13 審判
1998 -10770 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 吉田 博由 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/12 審判
1999 -17101 
ゲート絶縁膜保護ダイオードを有するMOSFETおよびMOSFETの層間絶縁膜形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 松下 正 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/07 審判
1999 -8987 
MOSトランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2000/06/06 審判
1997 -12982 
半導体装置の薄膜形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷川 芳樹 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2000/06/02 審判
1999 -6248 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/05/29 審判
1999 -8210 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/05/29 異議
1999 -71927 
ガス供給装置及びその操作方法 特許第2826479号の請求項1ないし2に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
2000/04/28 審判
1999 -6621 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岩橋 文雄 その他   松下電子工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/04/27 審判
1998 -2274 
表面感受性を低減したオゾン/TEOS酸化シリコン膜の堆積方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 寺崎 史朗 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2000/04/17 審判
1997 -9887 
薄膜形成方法 原査定を取り消す。 本願の請求項1〜5に係る発明は、特許すべき…… 塩田 辰也 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2000/04/14 審判
1998 -13141 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  

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