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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2004/08/09 不服
2002 -1705 
電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2004/07/12 不服
2002 -3263 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/06/29 不服
2002 -4974 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2004/06/08 不服
2002 -3548 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大渕 美千栄 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/03/17 不服
2001 -22776 
強誘電体薄膜素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小池 隆彌   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/03/09 不服
2001 -22756 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/02/24 不服
2000 -6077 
フローティングゲート型半導体メモリの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   広島大学長   原文 保存
該当なし  
2004/02/03 不服
2000 -6608 
絶縁材料間における界面接着方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エッセジエッセ-トムソン ミクロエレクトロニクス ソチエタ レスポンサビリタ リミテ   原文 保存
該当なし  
2004/01/21 不服
2001 -16120 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/01/21 不服
2001 -1720 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/12/25 不服
2001 -23556 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/11/21 不服
2001 -7318 
電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 谷澤 靖久 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/11/14 不服
2001 -6426 
不揮発性半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2003/11/11 不服
2000 -18010 
安定化層のための保護層及びその製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 富村 潔   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2003/10/10 不服
2001 -6751 
絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   財団法人半導体研究振興会   原文 保存
該当なし  
2003/09/29 不服
2000 -11283 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 谷澤 靖久 その他   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/08/27 不服
2001 -8662 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 谷澤 靖久 その他   NEC化合物デバイス株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/08/26 不服
2000 -17552 
半導体素子形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 木下 雅晴 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/08/18 不服
2001 -2970 
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/08/08 不服
2001 -6815 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河井 将次 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2003/06/12 不服
2000 -20350 
隆起型ストラップ構造MOSトランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  パリ条約  
2003/05/06 不服
2000 -16516 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2003/04/15 不服
2001 -22365 
量子閉じ込め構造を有する素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 興作   東北大学長   原文 保存
該当なし  
2003/03/20 審判
1999 -16983 
安定化層及びその製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
 パリ条約  
2003/01/20 不服
2000 -17769 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 昭雄   新エネルギー・産業技術総合開発機構 独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2002/11/25 不服
2000 -15822 
MOSトランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/09/30 不服
2000 -12624 
半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川崎 実夫 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/09/18 審判
1999 -15951 
電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/08/21 審判
1999 -7758 
高耐圧横型MOSFET半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/08/19 不服
2000 -12625 
半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川崎 実夫 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  

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