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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2002/07/11 不服
2000 -4038 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 木下 雅晴   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/07/02 審判
1999 -11180 
半導体トランジスタチップ 本件審判の請求は、成り立たない。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/03/20 不服
2000 -5695 
半導体装置および半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/02/07 異議
2001 -70335 
薄膜形成方法 特許第3070894号の請求項1ないし5に係る特許を維持する。 長谷川 芳樹 その他     原文 保存
該当なし  
2002/01/24 不服
2000 -10451 
電界効果トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/01/21 不服
2000 -3657 
電界効果トランジスタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/12/21 不服
2000 -5539 
電荷トラップ膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/12/18 不服
2000 -5540 
不揮発性半導体記憶装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/11/30 不服
2001 -1408 
強誘電体不揮発性記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松下 正 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/11/22 不服
2000 -6737 
連続処理装置および連続処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/09/04 不服
2000 -13097 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 坪井 淳 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2001/09/04 不服
2000 -3020 
電界効果トランジスタ装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2001/08/31 異議
2000 -70657 
半導体装置の製造方法 訂正を認める。 特許第2936624号の請求項1に係る特許を維持する。 福田 修一 その他     原文 保存
 新規事項の追加  
2001/08/29 不服
2000 -8561 
電界効果トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シリコニックス・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2001/08/09 不服
2000 -7170 
半導体不揮発性記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/06/26 異議
2000 -74626 
熱処理装置 特許第3058901号の請求項1ないし6に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
2001/05/07 審判
1999 -10957 
バンプの形成方法及びその形成方法で用いられるテンプレート及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西山 雅也 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/04/11 審判
1999 -11699 
偏差のあるドレインとソースを具備するトランジスタの構造及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 湯田 浩一 その他   台湾茂▲しい▼電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2001/01/16 訂正
2000 -39148 
MISFETの製造方法 特許第3034699号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正…… 清水 守 その他   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/01/15 異議
2000 -71389 
半導体装置の接合方法 訂正を認める。 特許第2958519号の請求項1に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
2001/01/12 不服
2000 -577 
半導体素子の電極形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2000/12/21 審判
1998 -18317 
電界効果型半導体装置並びに作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2000/12/18 異議
2000 -72054 
拡散酸化装置 特許第2978500号の請求項1に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
2000/12/11 審判
1999 -13853 
ドーピングされたディスポーザブル層を用いたMOSトランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2000/11/27 審判
1999 -16642 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   セイコーインスツルメンツ株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/11/22 審判
1998 -7905 
1チップLSIの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 中村 誠 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2000/10/31 審判
1999 -9605 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/10/30 審判
1999 -6026 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/10/13 審判
1999 -15770 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2000/09/28 審判
1997 -7624 
プラズマ気相反応装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  

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