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現在の検索キーワード：柴垣宙央

17 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2021/11/11	不服 2020 -17173	酸化物半導体基板及びショットキーバリアダイオード	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		出光興産株式会社	原文	保存
該当なし
2021/11/01	不服 2021 -8300	炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士電機株式会社	原文	保存
該当なし
2021/10/13	不服 2021 -7363	積層体	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		出光興産株式会社	原文	保存
該当なし
2021/06/02	不服 2020 -3600	炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	田中研二その他	ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ	原文	保存
該当なし
2021/04/28	異議 2019 -700923	半導体装置	特許第6515842号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付……	特許業務法人明成国際特許事務所		原文	保存
該当なし
2021/04/26	不服 2020 -11958	化合物半導体装置及びその製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2021/03/30	不服 2020 -11790	半導体装置およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		富士電機株式会社	原文	保存
該当なし
2021/03/30	不服 2019 -10542	ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		クリーインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2020/12/09	不服 2020 -4924	半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	有田貴弘	三菱電機株式会社	原文	保存
該当なし
2020/06/08	不服 2019 -11053	SNS型ジョセフソン接合素子の製造方法及びSNS型ジョセフソン接合素子製造装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	黒木義樹その他	住友重機械工業株式会社	原文	保存
該当なし
2020/06/02	不服 2019 -7150	高耐圧ショットキーバリアダイオード	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	特許業務法人平田国際特許事務所その他	国立研究開発法人情報通信研究機構国立大学法人東京農工大学株式会社タムラ製作所	原文	保存
該当なし
2020/04/28	不服 2018 -16716	エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		インフィネオンテクノロジーズアーゲー	原文	保存
該当なし
2020/04/24	不服 2019 -3381	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士電機株式会社	原文	保存
該当なし
2019/12/09	不服 2018 -14285	炭化珪素半導体装置およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	松井重明その他	三菱電機株式会社	原文	保存
該当なし
2019/11/12	不服 2018 -7922	炭化ケイ素装置におけるオーミック接触のためのシステム及び方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	小倉博その他	ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ	原文	保存
該当なし
2018/06/25	不服 2017 -9394	炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	酒井昭徳	富士電機株式会社国立研究開発法人産業技術総合研究所	原文	保存
該当なし
2017/08/17	不服 2017 -1324	炭化珪素半導体装置およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	倉谷泰孝その他	三菱電機株式会社	原文	保存
該当なし

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