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現在の検索キーワード: 酒井 英夫

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/11/29 不服
2011 -1086 
電子回路の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星 公弘 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/14 不服
2010 -12607 
透明導電膜のエッチング液 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士技研工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/25 不服
2010 -17543 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/11 不服
2010 -7705 
焼結された半導体材料 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 登夫   セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク ユニヴェルシテ デ ポワティエ   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/06 不服
2009 -22166 
エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 讓 その他   ドンジン セミチェム カンパニー リミテッド エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
 実施可能要件  パリ条約  
2011/10/05 不服
2009 -3503 
薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 朝日 伸光 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド ドンジン セミチェム カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/10/04 不服
2010 -3458 
膜のエッチング選択比の変更方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/04 不服
2010 -14000 
マルチパッケージモジュールおよびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 佐々木 眞人 その他   スタッツ・チップパック・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/10/03 不服
2010 -13577 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2011/09/06 不服
2010 -2427 
積層されたダイのパッケージ 本件審判の請求は、成り立たない。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/05 不服
2010 -6514 
半導体パッケージ、半導体モジュールとその製造方法、および電子機器 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/24 不服
2010 -26612 
プラズマディスプレイ装置およびフラットディスプレイ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立プラズマディスプレイ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/07/13 不服
2010 -1339 
半導体装置および半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   住友ベークライト株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/06/07 不服
2009 -9556 
基板の電気的コンタクト面の接続方法及び電気的コンタクト面を備えた基板からなるデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 星 公弘 その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
 パリ条約  
2011/06/06 不服
2010 -1872 
パワーモジュール及びモータ一体型コントロール装置 本件審判の請求は、成り立たない。   日立オートモティブシステムズ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/06/06 不服
2009 -6463 
高アスペクト比形態のエッチング方法 本件審判の請求は、成り立たない。 竹内 将訓 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/05/25 不服
2009 -2357 
半導体ウェハの平坦化方法および平坦化装置ならびに平坦度が改善された半導体ウェハ 本件審判の請求は、成り立たない。 星 公弘 その他   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2011/05/23 不服
2009 -4530 
電力半導体モジュール、および電力半導体モジュールの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー   原文 保存
該当なし  
2011/05/09 不服
2008 -23454 
正極性にドープされた広い禁止帯を有する酸化亜鉛(ZnO)半導体の製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 恩田 博宣 その他   フェレシュテ ホッセイニ テヘラニ   原文 保存
該当なし  
2011/05/06 不服
2008 -16313 
リードレスマルチダイキャリアの構造およびその作製のための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 野田 久登 その他   スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/04/13 不服
2009 -23237 
半導体基板のエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2011/04/01 不服
2009 -15373 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 正己 その他   株式会社ディスコ 株式会社ジェイデバイス 住友ベークライト株式会社 イビデン株式会社 凸版印刷株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/03/22 不服
2010 -12477 
シリコンウェーハの加工方法、及び半導体ひずみセンサの製造方法 平成22年 3月 3日付けの補正の却下の決定を取り消す。 原査定を……   株式会社フジクラ   原文 保存
該当なし  
2011/03/15 不服
2008 -30385 
3C-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2011/02/16 不服
2009 -20936 
サファイア基板を活性窒素に暴露して半導体デバイスを作製する方法及び半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 社本 一夫 その他   トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ   原文 保存
該当なし  
2011/02/16 不服
2008 -31945 
シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 矢野 敏雄 その他   シルトロニック・ジャパン株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/15 不服
2008 -13318 
シリコン基板の特定の結晶学的に等価な面を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   テイラー エンジニアリング リミテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/02/02 不服
2009 -14160 
有機材料含有デバイスに適した基板とその製造方法、およびこれを用いた有機材料含有デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし  
2011/01/25 不服
2009 -1489 
フィルム付き半導体素子、半導体装置およびそれらの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小松 純 その他   イビデン株式会社 日立化成工業株式会社 凸版印刷株式会社 株式会社ディスコ 住友ベークライト株式会社 株式会社ジェイデバイス   原文 保存
該当なし  
2010/12/22 不服
2008 -32601 
微細構造作製方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  

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